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SI8425DB-T1-E1 制造商:Vishay Siliconix包装:切割带 (ct)系列:TrenchFET®零件状态:在售FET类型:P沟道技术:金属氧化物漏源电压(Vdss):20V25°C下的电流-连续漏极(ID):-驱动电压(最大RDS接通,最小RDS接通):1.8V, 4.5VVgs(th)(最大值)@内径:900mV @ 250µAVGS(最大):±10V场效应晶体管特性:-...