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SI7469DP-T1-GE3是一款80VDS TrenchFET® P沟道增强型功率MOSFET, 带反并联二极管。 无卤素 工作温度范围: -55到150°C 技术规格 通道类型 P通道 电流, Id 连续 28A 晶体管封装类型 PowerPAK SO Rds(on)测试电压 10V 功率耗散 83W 工作温度最高值 150°C 合规 - SVHC(高度关注物质) 0 漏源...
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