SI7465DP-T1-GE3 Vishay 数据手册 功率MOSFET ±20V 1.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) PowerPAK SO-8 P-Channel 60V 3.2A 64mΩ ￥11.7512 2,477 当前型号 FDMS6673BZ ON Semiconductor 数据手册 通用MOSFET 15.2A(Ta),28A(Tc) ±25V 2.5W(Ta),73W(Tc) 6.8m Ohms@15.2A,10V -55°C~150...
品牌名称 VISHAY(威世) 商品型号 SI7465DP-T1-GE3 商品编号 C499482 商品封装 PowerPAK-SO-8 包装方式 编带 商品毛重 0.126克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个P沟道 漏源电压(Vdss) 60V 连续漏极电流(Id) 5A 导通电阻(RDS(on)) 64mΩ@10V...
Vishay SI7465DP-T1-GE3 - Technical Attributes Attributes Table Fet Type: Drain-to-Source Voltage [Vdss]: -60V Drain-Source On Resistance-Max: 0.08Ω Rated Power Dissipation: 1.5W Qg Gate Charge: 40nC Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V Drain Current: -3.2A Turn-on Delay Time: 15ns...
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型号/规格: SI7465DP-T1-GE3 品牌/商标: VISHAY 封装形式: SO-8 环保类别: 无铅环保型 安装方式: 贴片式 包装方式: 卷带编带包装询价 询价 相关产品 STMOSFET管STS6NF20V STW11NM80,原装ST晶体管 SUD06N10-225L-GE3,原装VISHAY晶体管 SI3430DV-T1-GE3 SPW20N60C3 ...
商品型号:SI7465DP-T1-GE3 产品状态:在售 封装规格:DFN5060 数据手册: DATASHEET 商品编号:L103387908 商品参数 近似物料 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 DFN5060 包装 圆盘 FET类型 P通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 25℃时电流-连续漏极(Id) 3.2A(Ta) 驱动...
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