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品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号SI3900DV-T1-E3-VB 商品编号C18212593 商品封装TSOP-6 包装方式 编带 商品毛重 0.046667克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 20V 属性参数值 连续漏极电流(Id) - 导通电阻(RDS(on)) 22...
制造商产品型号:SI3900DV-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 描述:MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 产品系列:TrenchFET? 零件状态:有源 FET类型:2 N-通道(双) FET功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):20V 25°C时电流-连续漏极(Id):2A 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):125 ...
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制造商型号: SI3900DV-T1-E3 制造商: SILICONIX (威世) 产品类别: 射频晶体管 商品描述: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP 供货: 货期 工作日(7-10天) 渠道: digikey 服务: 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 客服: 立即咨询 询价 提示: 联系在线客服,获得更多SI3900DV-T1-E3价格库存等采购信息!
SI3900DV-T1 概述 Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 双N通道20 -V (D -S )的MOSFET 功率场效应晶体管 SI3900DV-T1 规格参数 是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete 包装说明:,Reach Compliance Code:compliant 风险等级:5.83Is Samacsys:N 最大漏极电流 (Abs) (ID):2 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICOND...
不同Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 功率- 最大值 830mW 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装 6-TSOP 商品其它信息 优势价格,SI3900DV-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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