系列 SI3 宽度 1.65 mm 零件号别名 SI3437DV-GE3 单位重量 20 mg 可售卖地 全国 型号 SI3437DV-T1-GE3 深圳市安桐派科技有限公司 原装正品,质量保证,交货准时,价格优惠。 1.应用: 移动设备、网络、无线通讯、汽车、工业、医疗保健相关设备、能源等。 2.为什么选择我们? 1、良好的信誉,在同行中,...
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型号 SI3437DV-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SI3437DV-T1-GE3 封装: TSOP6 批次: 2020+ 数量: 15000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TSOP-6 高度: 1.1 mm 长度: 3.05 mm 系列: SI3 宽度: 1.65 mm 零件号别名: SI3437DV-GE3 单位重量: 20...
功率耗散(最大值) 2W(Ta),3.2W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 供应商器件封装 6-TSOP 封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 商品其它信息 优势价格,SI3437DV-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
VBsemi(微碧) SI3437DV-T1-GE3-VB 封装/规格: SOT23-6, 台积电流片,长电封测。SOT23-6;N沟道,100V;3.2A;RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;一款单N沟道场效应管(Single N),适用于需要低功耗、小封装和可靠性能的领域和模块,如电源模块、电动工具、智能家居和消费电子等。。你可以下载 SI3437...
商品型号:SI3437DV-T1-GE3 产品状态:在售 封装规格:TSOP-6 数据手册: 商品编号:L103657787 商品参数 近似物料 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 TSOP-6 包装 圆盘 FET类型 P通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 150V 25℃时电流-连续漏极(Id) 1.4A(Tc) 驱动电压(最...
系列 SI3 宽度 1.65 mm 商标 Vishay / Siliconix 产品类型 MOSFET 工厂包装数量 3000 子类别 MOSFETs 零件号别名 SI3437DV-GE3 单位重量 20 mg 商品其它信息 优势价格,SI3437DV-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。推荐...
SI3437DV-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX,所属分类:晶体管-FET,MOSFET-单个,可在锐单商城现货采购SI3437DV-T1-GE3、查询SI3437DV-T1-GE3代理商; SI3437DV-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有SI3437DV-T1-GE3中文资料、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快...