SI2304BDS 概述 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET N通道30 -V (D -S )的MOSFET SI2304BDS 数据手册 通过下载SI2304BDS数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。 PDF下载 Si2304BDS Vishay Siliconix New Product N-Channel 30-V (D-...
SI2304BDS-T1-E3 全球供应商 全球供应商 (6家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 AiPCBA -9440立即发货1RMB ¥税2.2812.2812.2812.2812.281购买 贸泽 美国2485立即发货1RMB ¥税5.1233.8792.8781.8301.455购买 ...
SI2304DDS-T1-GE3封装/规格:配置/单路:栅极电荷(Qg)/6.7nC:阈值电压/2.2V@250µA:漏极电流/3.3A:晶体管类型/N沟道:功率耗散/1.7W:额定功率/1.1W,1.7W:充电电量/6.7nC:反向传输电容Crss/17pF:栅极源极击穿电压/±20V:击穿电压/30V:极性/N-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/...
Si2304BDS-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET,采用SOT-23封装,专为紧凑型电子设备设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)和4A连续漏极电流(ID),提供强大的电流处理能力。其低至29mΩ的导通电阻(RD(on)),有利于降低系统功耗并提高能效。适用于电源转换、电机驱动、负载开关等多种应用场合,是追求高集成度与节能效...
PAKER(派克微) 商品型号 SI2304 商品编号 C5278887 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.033333克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)3.3A 导通电阻(RDS(on))48mΩ@4.5V,2A ...
型号:SI2304A 品牌:UMW(友台半导体) 封装:SOT-23 描述: 国内价格 20+0.25758 200+0.19484 600+0.16006 3000+0.13922 9000+0.12107 21000+0.11135 库存:21936 去购买 型号:SI2304A 品牌:UMW(友台半导体) 封装:SOT-23 描述:表面贴装型 N 通道 30 V 3.6A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23 国内价格 1+0.66550 200...
品牌名称 TECH PUBLIC(台舟) 商品型号 SI2304BDS 商品编号 C19829416 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.0312克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)3A 导通电阻(RDS(on))90mΩ@4.5V,2A ...
品牌名称 VISHAY(威世) 商品型号 SI2304BDS-T1-E3 商品编号 C145238 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.035克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)3.2A ...
品牌名称 VISHAY(威世) 商品型号 SI2304DDS-T1-GE3 商品编号 C56372 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.035克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 数量1个N沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)3.6A ...
SI2304DDS 描述 1个N沟道 耐压:30V 电流:3.5A , VGS=10V 品牌名称 GOODWORK(固得沃克) 商品型号 SI2304DDS 商品编号 C42186048 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.030067克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 30V ...