交货地: 1国内(含增税)交期(工作日):4小时发货 库存: 3000(1起订) 批次: 2年内 数量: X0.6806(单价)「卷装(TR)/3000」 总价: ￥ 0.6806 品牌:Vishay(威世) 型号:SI2302CDS-T1-E3 商品编号:G0014941 封装规格:SOT-23 商品描述:MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.6A
对比推荐 制造商编号SI2302CDS-T1-E3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号A36-SI2302CDS-T1-E3 供货严选 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 Single N-Channel 20 V 0.057 Ohm 0.71 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3 数据手册发送到邮箱 ...
型号 SI2302CDS-T1-E3 产品详情 买家须知:1.购前说明:本店所有产品图片都是之前出货过的货物,现有的货物年份或者产地不一定一致,只能保证是原厂正品货。电子元器件价格波动不定,所上价格供大家参考,大概在这个价格左右波动,有实单的客户可以联系确定现在的价格,修改后,在拍下本产品。电子元件品牌较多,有些型号后...
SI2302CDS-T1-E3中文资料 Vishay Siliconix Si2302CDS Document Number: 68645S-81007-Rev. A, 05-May-08www.vishay.com 1 N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free Option Available •TrenchFET ® Power MOSFET APPLICATIONS •Load Switching for Portable Devices •DC/DC Converter...
电子管-场效应管-SI2302CDS-T1-E3-VISHAY-SOT23-3-1612+.pdf 下载价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页...
Si2302CDS-T1-E3 型号MOS管,采用小巧SOT-23封装,内含高性能N沟道技术,专为高效率电路设计。器件具有20V的漏源电压(VDSS),能够承载高达2.3A的连续漏极电流(ID),适用于多种中小功率应用场合。其导通电阻仅为48mR(RD(on)),确保了较低的功率损耗和较高的系统效能。广泛应用于电源管理、负载开关及低压开关电路中,...
发货地 广东东莞 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 SI2302CDS、 T1、 E3、 低压MOS管、 低压场效应管、 N渠道MOS管、 N渠道场效应管 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY 漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 2.6A 功率(Pd): 710mW 导通电阻: 57m...
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