A2SHB是场效应晶体管,具体类别为:Mos管,SI2302。 mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有...
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SI2302 A2SHB A09T 2.5A/3.6A 20V SOT-23封装 N沟道MOS场效应管 深圳东为电子科技有限公司6年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.03成交53585PCS SI2302 SOT-23 丝印A2SHB耐压20V电流3A 贴片MOS管 N沟道场效应管 深圳市卓诚世纪科技有限公司5年 ...
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ASEMI品牌SI2302是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了SI2302的最大漏源电流2.9A,漏源击穿电压20V. •细节体现差距 SI2302,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。 SI2302具体参数为:最大漏源电流:2.9A,漏源击穿电压:20V,反向恢复时间: ns,封装:SOT-23...
型号 SI2302 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,也可能...
SI2302在SOT-23封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为72mΩ,是一款N沟道低压MOS管。SI2302的最大脉冲正向电流ISM为10A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SI2302功耗(PD)为1.25W。SI2302的电性参数是:正向电流(Io)为3A,漏极-源极击穿电压为20V,二极管正向电压(VSD)为...
Si2302的使用方法主要取决于具体的应用场景和电路设计。在使用Si2302时,需要考虑以下因素: 1.栅极电压:Si2302的栅极需要施加一个正电压才能使其导通。这个电压通常由一个电源或者信号源提供。 2.源极和漏极的连接方式:Si2302的源极和漏极是相互连接的,因此可以将它们一起连接到电路中。 3.电路保护:在使用Si2302...
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光旅电子 MOS场效应管 SI2302 A2SHB N沟20V 2.3A/2.8A/3A SOT23 深圳市光旅电子科技有限公司5年 月均发货速度:当日 广东 深圳市福田区 ¥16.00成交4282K 原厂直销贴片MOS管SI2302N沟道3A场效应管丝印A2SHB贴片三极管 深圳市福田区腾光达电子商行9年 ...