产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏极电流: 2.4 A Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压: 450 mV Qg-栅极电荷:...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 SOT-23-3 晶体管极性 P-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 20 V Id-连续漏极电流 2.4 A Rds On-漏源导通电阻 100 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 - 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压 450 mV Qg-栅极电荷 10...
SI2301BDS-T1-GE3 (VB2290)参数说明:极性:P沟道;额定电压:-20V;最大电流:-4A;导通电阻:57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V;门源电压范围:12Vgs (±V)阈值电压:-0.81V;封装:SOT23应用简介:SI2301BDS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P沟道MOSFET,适用于需要控制电流的应用。其低导通电阻能够有效减少导通损耗,适用于...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 SOT-23-3 晶体管极性 P-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 20 V Id-连续漏极电流 2.4 A Rds On-漏源导通电阻 100 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 - 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压 450 mV Qg-栅极电荷 10...
全新现货SI2301BDS-T1-GE3封装SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 深圳市芯天电子有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.90 SI2301BDS-T1-E3集成电路(IC) 深圳市德会鑫科技有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.06
产品类型 MOSFET 上升时间 40 ns 工厂包装数量 3000 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 30 ns 典型接通延迟时间 20 ns 零件号别名 SI2301BDS-T1-BE3 SI2301BDS-GE3 单位重量 8 mg 可售卖地 全国 型号 SI2301BDS-T1-GE3 产品详情 PDF资料 大家都在找 换一换 查看详情 ¥面议 s3「亚马逊云科技」中国区账...
SI2301BDS-T1-E3 SOT-23 MOSFET 全新原装 欢迎询价1NZA -- -- 安富世纪 SOT23-3 ￥0.1500元>=1 条 深圳市安富世纪电子有限公司 1年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 VISHAY 场效应管 SI2301BDS-T1-E3 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2301CDS-T1-GE3SI2301BDS-T1-E3 ...
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MOSFET 上升时间 40 ns 工厂包装数量 3000 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 30 ns 典型接通延迟时间 20 ns 零件号别名 SI2301BDS-T1-BE3 SI2301BDS-GE3 单位重量 8 mg 可售卖地 全国 型号 SI2301BDS-T1-GE3 产品详情 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SI2301BDS-T1-GE3 批号: 2020+ 封装: SOT23 数量: 85...