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SI1308EDL是推动电子元件技术发展的中流砥柱,不论是性能提高、能效提升或是规划灵活性。 技术规格参数详解 SI1308EDL的技术参数显示了它作为高性能MOS管不凡水准。该场效应管具备60VP沟漏电压(Vdss)和强大的50A持续漏极电流(Id),突出了其在高压与大电流应用中的强劲特性。更重要的是,其导通电阻仅是20mmΩ(在10V...
型号SI1308EDL-VB 丝印VBK1270 品牌VBsemi 参数 N沟道 额定电压 20V 额定电流 4A 开态电阻 45mΩ @ 10V, 49mΩ @ 4.5V, 60mΩ @ 2.5V 门源电压范围 12Vgs (±V) 阈值电压范围 1~3Vth (V) 封装SC70-3 详细参数说明 N沟道 这是一个N沟道MOSFET。N沟道MOSFET是一种场效应晶体管,具有较低的导通电...
SI1308EDL-T1-GE3由Vishay设计生产。SI1308EDL-T1-GE3封装/规格:配置/单路:栅极电荷(Qg)/4.1nC:阈值电压/1.5V@250µA:漏极电流/1.4A:晶体管类型/N沟道:功率耗散/500mW:额定功率/400mW,500mW:充电电量/2.7nC:反向传输电容Crss/11pF:栅极源极击穿电压/±12V:击穿电压/30V:极性/N-沟道:元件生命周期/Ac...
型号:SI1308EDL-VB 丝印:VBK1270 品牌:VBsemi 参数: - N沟道 - 额定电压:20V - 额定电流:4A - 开态电阻:45mΩ @ 10V, 49mΩ @ 4.5V, 60mΩ @ 2.5V - 门源电压范围:12Vgs (±V) - 阈值电压范围:1~3Vth (V) - 封装:SC70-3 详细参数说明: ...
型号:SI1308EDL-VB 丝印:VBK1270 品牌:VBsemi 参数: - N沟道 - 额定电压:20V - 额定电流:4A - 开态电阻:45mΩ @ 10V, 49mΩ @ 4.5V, 60mΩ @ 2.5V - 门源电压范围:12Vgs (±V) - 阈值电压范围:1~3Vth (V) - 封装:SC70-3 详细参数说明: - N沟道:这是一个N沟道MOSFET。N沟道MOSFET是...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号SI1308EDL-VB 商品编号C4355112 商品封装SC-70-3 包装方式 编带 商品毛重 0.05克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 20V 连续漏极电流(Id) 4A 导通电阻(RDS(on)) 36mΩ@10V,3.7A 属性...
综上所述，SI1308EDL-T1-GE3是一款N沟道MOSFET，其工作原理基于门极电压的控制。当门极电压大于阈值电压时，MOSFET处于导通状态，电流可以从源极到漏极流动。此时，MOSFET的导通电阻较低，提供较低的功耗和较高的效率。相反，当门极电压低于阈值电压时，MOSFET处于截止状态，电流无法通过。在截止状态下，MOSFET的导通...
型号 SI1308EDL-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY/威世 型号: SI1308EDL-T1-GE3 封装: SOT-323 批号: 21+ 数量: 15000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-323-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电...
摘要:SI1308EDL-T1-GE3现货 Vishay Siliconix代理商 一站式电子元器件采购商城,晶体管 - FET,MOSFET - 单个的SI1308EDL-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、引脚图、封装规格、价格行情和库存等信息,Vishay Siliconix的SI1308EDL-T1-GE3货源充足,采购SI1308EDL-T1-GE3上盛芯商