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Si1308EDL 30V1.4A N沟道SOT-323封装MOS管 VISHAY威世场效应管 价格 ￥1.50 ￥1.30 ￥1.00 起订量 1个起批 100个起批 3000个起批 货源所属商家已经过真实性核验 发货地 广东省 深圳市 所属类目 电子元器件;晶体管;其他晶体管 产品标签 Si1308EDL;WINSOK;SOT-323 获取底价 查看电话 在线咨询 深圳市冠...
SI1308EDL是推动电子元件技术发展的中流砥柱,不论是性能提高、能效提升或是规划灵活性。 技术规格参数详解 SI1308EDL的技术参数显示了它作为高性能MOS管不凡水准。该场效应管具备60VP沟漏电压(Vdss)和强大的50A持续漏极电流(Id),突出了其在高压与大电流应用中的强劲特性。更重要的是,其导通电阻仅是20mmΩ(在10V...
1. 电源管理模块:由于SI1308EDL-VB具有低导通电阻和能够承受较高电流的能力,它适用于电源管理模块中的功率开关和电流控制应用。 2. DC-DC转换器:SI1308EDL-VB可以用于DC-DC转换器中的开关元件,以实现高效的电能转换。 3. 逆变器:逆变器用于将直流电转换为交流电。SI1308EDL-VB的高导通电流和低导通电阻使其适用...
型号SI1308EDL-VB 丝印VBK1270 品牌VBsemi 参数 N沟道 额定电压 20V 额定电流 4A 开态电阻 45mΩ @ 10V, 49mΩ @ 4.5V, 60mΩ @ 2.5V 门源电压范围 12Vgs (±V) 阈值电压范围 1~3Vth (V) 封装SC70-3 详细参数说明 N沟道 这是一个N沟道MOSFET。N沟道MOSFET是一种场效应晶体管,具有较低的导通电...
型号 SI1308EDL-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY/威世 型号: SI1308EDL-T1-GE3 封装: NA 批号: 1936 数量: 20000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-323-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: ...
型号 SI1308EDL-T1-GE3 电子元器件专业配套 配套范围内; 集成电路 IC芯片 二三极管 光耦 继电器 电源模块 IGBT 可控硅 另外电容电阻(支持拆样)开关插座 端子排针 蜂鸣器 LED 数码管 电位器等全系列元件! 为了更好的解决您的问题,请您务必在下单前,将产品的封装,后缀告诉我们, 以便我们能准确迅速的为您查...
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高性能MOSFET晶体管: SI1308EDL-T1-GE3是一种高质量的MOSFET晶体管,设计用于各种应用,包括MOSFET驱动器,具有1.4A的高额定电流和30v的额定电压。 表面贴装技术 (SMT): 该产品具有表面贴装封装类型,非常适合需要紧凑高效设计的现代电子设备。 标准工作温度范围: 晶体管在标准温度范围内工作,确保在各种环境和应用中具...
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