Si1-xGex合金与Si的选择性蚀刻在微电子领域广泛应用于形成薄硅通道晶体管。我们表明，在低温(< 650℃)下蚀刻x=0.30的Si1-xGex层，可以获得高蚀刻选择性（>100）。本文我们将在Ge含量超过30%至45%的SiGe层的非旋转衬底（沿<110>方向蚀刻）上进行的类似实验。实验与讨论 为了进行蚀刻实验，英思特使用ASM Ep...
本发明公开了一种多晶Si1-xGex/金属并列覆盖双栅台阶式埋氧SSGOInMOSFET器件结构,其技术方案在于该器件自上而下的结构为:多晶Si1-xGex/金属并列覆盖双栅结构;栅绝缘层;本征或者p-掺杂应变Si电子量子阱层;p掺杂弛豫Si1-yGey缓冲层;台阶式埋氧层;p-掺杂的衬底,所述p-掺杂的单晶Si(100)衬底由p弛豫Si1-y...
首先,如图1所示,在150微米的p+衬底(1)上外延10um的p-外延层(2),在p-外延层(2)上外延22nm厚的si/si1-xgex量子阱结构(3),在所述的si/si1-xgex量子阱结构上外延2um的p-外延层(4),采用sacm结构,在si/si1-xgex量子阱结构上方采用离子注入和扩散工艺依次形成apd探测器的场控区、倍增区、n型注入区。
Si1-xGex单晶用热系统改进
Si1-xGex:C合金薄膜的EDS元素深度分析(1)俄歇电子能谱(AES)、x 光电子能谱(XPS)、x 射线能量色散谱(EDS)是目前应用最广泛的显微分析方法。与 AES 和 XPS 相比,EDS 有诸多优点,如测试方便、不损坏试样、分析速度快;但缺点是分辨率和定量
摘要 本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的Si1-XGeX/Si异质结pin型红外探测器.其波长范围为0.70~1.55 μm,峰值波长为0.96~1.06 μm,暗电流密度低达0.03 μA/mm2(-2V),在1.30 μm处的响应度高... 关键词光电探测器 / SiGe合金 / 响应度 收藏 ...
摘要 本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的Si1-XGeX/Si异 质结pin型红外探测器.其波长范围为0.70～1.55 μm,峰值波长为0.96～1.06 μm,暗电流密度低达0.03 μA/mm2(-2V),在1.30 μm处的响应度... 关键词 光电探测器 锗化硅合金 红外探测器 ...
应变Si1-xGex(100)电子散射几率
用快速热化学汽相淀积法生长Sil-xGex 一 及其在异质结双极晶体管中的应用 GrowthofSi1-xGebyRapidThermalChemicalVaporDeposition andApplicationtoHeterojunctionBipolarTransistors J.C. 等 3 f ,c 侮冠 摘要 快速热化学汽相淀识法已用于生长i00A厚度的si和Sil⋯Ge结构。本 ...