键合Si/SiO2/Si结构的C—V特征 来自维普网 作者黄庆安,陈军宁摘要 本文研究了理想Si/SiO2/Si结构的电容-电压(C-V)特征,提出了根据Si/SiO2/Si的C-V特征测量SiO2厚度,衬底掺杂浓度和固定电荷的方法,并对键合样品进行了实验. 关键词Si结构 / 固定电荷 / 表...