以Si和SiO2为例，这类广泛应用的半导体接界处，常常会出现一种特殊的界面缺陷——悬挂键。当界面处的硅原子缺乏足够的氧原子与之形成化学键时，便会留下未饱和的硅原子键，即所谓的悬挂键。这些悬挂键因未与其他原子充分成键，而具有较高的反应活性和电子陷阱特性。界面态的存在对半导体设备的电子特性产生深远影响。
界面态起源于Si-SiO2界面处的空位或缺陷，对于有关半导体器件的性能，如场效应管的阈值电压、漏电流密度以及金属-SiO2-Si结构的电学特性等具有重要意义。Si-SiO2的界面是指硅(Si)表面与氧化硅(SiO2)之间的接触面，在这个界面上，Si和SiO2之间会形成一个非常薄的氧化层，称为界面氧化层或SiOx。
氧化层固定电荷Qf来源:通常是由Si-SiO2之间过渡区的结构改变引起的。该区中存在有过剩的硅离子,在氧化过程中与晶格脱开但还未完全与氧反应。处理办法:快速退火能有效地减小氧化层固定电荷密度。右图为Deal三角,说明了这种效应。界面陷阱电荷Qit来源:界面处存在的不完整化合价及不饱和键,使得电子和空穴可以很容易地被...
Si-SiO2界面是指硅表面和二氧化硅(SiO2)薄膜之间的交界处。在CMOS工艺中,硅衬底上生长一层二氧化硅薄膜,形成Si-SiO2界面。这一界面对集成电路的性能影响非常大,因此对Si-SiO2界面的研究一直是半导体学科中的热点和难点之一。 3. Si-H键的构成 Si-H键是Si-SiO2界面中的一个重要成分,它由硅原子和氢原子组成。Si...
氧化层固定电荷Qf来源:通常是由Si-SiO2之间过渡区的结构改变引起的。该区中存在有过剩的硅离子,在氧化过程中与晶格脱开但还未完全与氧反应。处理办法:快速退火能有效地减小氧化层固定电荷密度。右图为Deal三角,说明了这种效应。界面陷阱电荷Qit来源:界面处存在的不完整化合价及不饱和键,使得电子和空穴可以很容易地被...
根据所使用的清洗步骤顺序，特别是最后一步，表面处理不仅强烈影响生长速率，而且强烈影响整体氧化物和Si/Sio2界面的性质，通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)对薄氧化物层的结构质量进行了比较分析，并与不同的清洗程序所产生的影响有关，这些都是基于标准的RCA方法加上高频溶液蚀刻法，所得结果表明，红外技术能够理解所...
Si-SiO2界面电荷有哪几种?简述其来源及处理办法。 参考答案:可动离子电荷Qm来源:主要来源于Na+等网络改变者。解决办法:为了降低Na+的玷污,可以在工艺过程中采取预防措施包括①使... 点击查看答案进入题库练习 查答案就用赞题库小程序 还有拍照搜题 语音搜题 快来试试吧 无需下载 立即使用 你可能喜欢 问答...
基于电荷泵技术的si--sio2界面电荷分布特性研究搜索 分类号:UDC -广基于电荷泵技术的S i.Si02界面电荷分布特性研究胡伟佳指导教师姓名、 职称:王L 堂丕研究虽学科( 专业)或领域名称:邀电王堂皇固佐电王堂学生所属学院:挝料皇能遗堂院论文答辩日 期:垒Q !至生鱼旦墨旦 阅读...
百度试题 题目Si-SiO2界面态都是由悬挂键及晶格失配所引起的。() A.正确B.错误相关知识点: 试题来源: 解析 B 反馈 收藏
百度试题 题目在SiO2内和Si- SiO2界面存在有___、___、___电荷。相关知识点: 试题来源: 解析 可动离子电荷 氧化层固定电荷、 界面陷阱电荷 氧化层陷阱等 反馈 收藏