SI-F80R*1 类型 晶片厚度测量型 传感头 测量范围 10 至 310 µm (n=3.5 时)*2 可实现的检测距离 80 至 81.1 mm 光源 红外SLD 输出 0.6 mW, 1 类激光产品(IEC60825-1, FDA(CDRH)Part 1040.10*3) 光束直径 ø25 µm*4 线性度 ±0.1 µm*5 ...
SI-F80R系列激光位移传感器基恩士KEYENCE 基恩士KEYENCE激光位移传感器SI-F80R 系列是品牌中主推的一项产品,此产品具有**的测量、良好的性能而备受关注。 它的**度可以到测量一个物体的晶片厚度,在测量过程中,几乎不受晶片图案的影响,在同品牌中规格算是*高的了,采用了近红外SLD,可穿过硅、砷化镓、碳化硅、磷化铟、...
通过减少小光点直径和光点内的表面相差可最大限度的减发少晶片表面图案的变化和测量警报的发生次数 专为晶圆测厚打造的传感器SI-F80R 分光干涉晶片厚度计SI-F80R 即使是已封胶的晶片,亦能测出其厚度 专为晶圆测厚打造的传感器 分辨率 0.25μm 采样速度 5K HZ 工作距离 80mm 小型感测头 φ12mm 精确的只测量晶片...
基恩士中国的 SI-F80R 系列 型号: 电缆, 传感器头, 软件, 电源单元, 显示器, 扩展单元, 控制器, 其他、可选件.
公司名片 手机号: 联系人:刘威 公司名称:深圳市东为源电子技术有限公司 立即询价 进入店铺 马可波罗网>电子元器件>传感器>其他传感器>原装 基恩士KEYENCE SI-F80R 系列 分光干涉式晶片厚度计 最近被加入的企业 名片夹还没有企业信息,赶紧查看企业联系方式加入吧!
产品特性 即使已贴附背面研磨带也可测量晶片厚度 大幅降低图案的影响 可在生产线上进行测量 自动映射整个晶片的厚度分布 精确的只测量晶片厚度 SI-F80R 系列使用近红外 SLD,可穿过硅、砷化镓、碳化硅、磷化铟、非晶硅及其它半导体。即使晶片已封上 BG(背磨)胶带,也可精确测出晶片厚度。分析...
分光干涉晶片厚度计SI-F80R 即使是已封胶的晶片,亦能测出其厚度 专为晶圆测厚打造的传感器 分辨率0.25μm 采样速度5K HZ 工作距离80mm 小型感测头φ12mm 精确的只测量晶片厚度 SI-F80R系列使用近红外SLD,可穿过硅、砷化镓、碳化硅、磷化铟、非晶硅及其它半导体。即使晶片已封上BG(背磨)胶带,也可精确测出晶片厚度...
产品特性 即使已贴附背面研磨带也可测量晶片厚度 大幅降低图案的影响 可在生产线上进行测量 自动映射整个晶片的厚度分布 精确的只测量晶片厚度 SI-F80R 系列使用近红外 SLD,可穿过硅、砷化镓、碳化硅、磷化铟、非晶硅及其它半导体。即使晶片已封上 BG(背磨)胶带,也可精确测出晶片厚度。分析...
分光干涉晶片厚度计SI-F80R 即使是已封胶的晶片,亦能测出其厚度 专为晶圆测厚打造的传感器 分辨率0.25μm 采样速度5K HZ 工作距离80mm 小型感测头φ12mm 精确的只测量晶片厚度 SI-F80R系列使用近红外SLD,可穿过硅、砷化镓、碳化硅、磷化铟、非晶硅及其它半导体。即使晶片已封上BG(背磨)胶带,也可精确测出晶片厚度...
SI-F80R 系列使用近红外 SLD,可穿过硅、砷化镓、碳化硅、磷化铟、非晶硅及其它半导体。即使晶片已封上 BG(背磨)胶带,也可精确测出晶片厚度。 基恩士 SI-F80R系列 分光干涉式晶片厚度计 用于机械加工领域,SI-F80R 基恩士 SI-F80R系列 分光干涉式晶片厚度计 用于机械加工领域信息由基恩士(中国)有限公司为您提供,...