品种 SIWOW1-2000/1250/1600/2000A 货号 ECS017235 类型 电子设备 产地 浙江 安装条件 可垂直安装,亦可水平安装 安装高度 不超过2000m 额定电压 380V、660V 可否定制 可以 适用星级 4星级 发货地 上海 3C证书编号 2010010712418831 产品认证 ISO2000 型号 SIWOW1 封装 木箱 数量 9999 批号 0.1...
3( 1991 ) , № 4 钢铁研究 瑚竹 ‘‘‘■ ^哪 蛐畦 ^RcH V o 1.3 . N o .4 D ee . 1 99 1 1600 。 C F e— Cr— Si三元 系中 si,cr 活度的计算 石振仓 A C T I V I T I E S C A L C U L A T I O N O F S i . C r I N F e- C r - Si SY S T ...
浓 度范 围内,F e—Cr—s j三元 系中,c r具有正规溶液 的性质。 X Fe, C r 一 图3 1600 。c 时 —c r—s i 合金 中s i 的活 度。s F ig 3 A ct iv ity o f si licon a t 1 60 0 。C 圈4 16110 。c 时Fe- Cr- S i合 空中c r 的活 度 t F .4...
18.(6分)硅晶体是重要的半导体材料,工业上常用焦炭在高温下还原二氧化硅制得硅。(1)生产原理: SiO_2+2C=(1600-1800°C)/Si+2CO↑补齐上述化学方程式。(2)1 80kgSiO_2 在理论上可生产硅的质量为多少? 相关知识点: 试题来源: 解析 (1)2CO↑(2分) (2)解:设理论上可生产硅的质量为x。 1 600~...
百度试题 题目SiO2还原Si的开始温度为() A. 1200～1400℃ B. 1600～1700℃ C. 1800～1900℃ D. 1400～1600℃ 相关知识点: 试题来源: 解析 B.1600～1700℃ 反馈 收藏
Applying these principles to the synthesis of situ MoSi 2-SiC composites, it is shown that the proper starting reaction materials are Mo 2C and Si. The use of equilibrium phase diagram and stabilized chemical potential diagrams of Mo-Si-C ternary system at 1?600℃ for analyzing reaction ...
In the present paper, the tracer diffusivity of Si 31 was measured in CaO-SiO 2 melts at 1600°C. The Si 31 isotope was produced by neutron bombardment in a nuclear reactor, and the capillary technique was used in the diffusion experiments. The diffusivities obtained, decrease with increasing...
BXY-1600SI药品稳定性试验箱技术参数: 1.型号:BXY-1600SI 2.控温范围:0-85℃(无加湿时),10-60℃(有加湿时) 3.分辨率:0.1℃ 4.波动度(25℃时):±0.3℃ 5.均匀度(25℃时):±1℃ 6.控湿范围:20%-98% 7.湿度波动:±3% 8.输入功率:3200W ...
据报道.太阳能光伏发电在上海世博会上得到了大规模的应用.总装机容量超过4.68兆瓦.(1)发展太阳能产业主要优点是 .(2)太阳能光伏发电最关键的材料是高纯硅.下图是我市某多晶硅生产企业生产高纯硅的流程示意图:发生的反应为:①SiO2+2C 1600-1800℃ . Si+2CO↑②Si+3HCl 250-
铁水内元素氧化的顺序在1400℃以下时为:Al、Si、Mn、Cr、P、C、Fe,而在1530℃～1600℃之间其氧化的顺序变为(),因此铁水内元素在转炉内的与氧的亲合力随温度在变化。 A. Al、C、Si、Mn、P、Cr、Fe B. Al、 C. Si、Mn、Cr、P、FeC、Al、Cr、C、Mn、Si、P、Fe D. Al、C、Si、Cr、Mn、P、Fe...