Si (111)晶格单胞具有六边形对称性并且因此适合于也具有六边形晶体结构的II1-N材料生长。这与具有立方晶格结构的Si(10)相反,并且因此生长六边形GaN晶体可以导致在立方Si(10)单胞上取向六边形GaN晶体的问题。 [0034]在此描述的至少一些实施例提及(Ill)Si纳米特征在Si(10)上的创建,因此使得能够实现II1-N材料在Si纳...
SI-111精密红外温度计 tel: 400-6699-117转1000 Apogee Instruments测温仪, SI-111是一个精密的红外温度计,可以连续的测量监测点温度状况。红外温度传感器提供一个非接触式测量,主要用于测量目... 在线客服 讨论群 针对SI-111精密红外温度计 产品的讨论(最新的40个讨论) ...
Theoretical studies of Sm/Si(111)-nx1 (n=5, 7) and Sm/Si(111)-(8x2) structures In this study we employ a state-of-the-art pseudopotential method to perform local density of states (LDOS) calculations of n × 1 ( n = 5, 7) and (8 × 2)... Palmino,F.,Duverger,... -...
3.-2.【解析】原式=-2si n1110'-sin(240'+720) +2cos(360-225)+cos(360-210) =-2sin(30'+3×360')-si n240+2co s135 +co s150 =-2si n30°-sin(180'+6°0)+2cos(18°0-45") +cos(180-30) =-2si n30' +si n60'-2co s45'-co s30 =-2x÷+√-2×竖-竖=-2。 ...
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The bonding at O (N) atom-terminated dangling bonds at steps in the 112 direction is investigated by ab initio cluster calculations. We find that one Si atom and three O (N) atoms, i.e., a SiO3 (SiN3) group, can bridge three dangling bonds such that the strain induced at the step...
Theoretical studies of Si-O and Si-N bonding arrangements on vicinal Si(111) wafers 来自 ResearchGate 喜欢 0 阅读量: 56 作者:Z Jing,G Lucovsky,JL Whitten 摘要: DOI: 关键词: condensed matter physics, superconductivity and superfluidity silicon bonding cluster model interfaces monocrystals nitrogen...
在高温下,H2(g)脱附是可以发生的,这样N原子与表面Si形成Si=N单 元或与次表面Si形成Si3N单元,两者均为氮化硅的结构单元。(2)PH 3在Si(111).7×7面上的初始解离表现出与NH3相同的位选择性,但第 一个P—H键的解离是一个无能垒的过程。进一步的P-H键解离可以经由两种途 径来实现。一方面,在高温下P心...
利用Si—H与不饱和键的加成性质将该配合物嫁接到氢化n型单晶硅(111)表面,发现配合物Pt4(OCOCH3)4(OCOCHCH2)4除了能嫁接到单晶硅表面外,还能在n型单晶硅表面进行自组装而形成许多岛状纳米粒子,这种组装体系具有良好的热稳定性和一定的抗酸性。 更多例句>> ...
1. Christmas /'krismas/ n.节()111. patient/'perfant/ n.,2. waste/werst/n.(金、 )费12. situations /sItfu'erfon/ n.,情况,况,3. pollution /pa'lu:fan/ n.局面4. plastic /'plaestik/ adj. 13. regret /ri'gret/ v.(做事);5. duty/'dju:ti/n.(德或法律上的),对… …感...