bid-winning announcement 上海中远海运重工有限公司就卓越轮SI-0001 格栅射钉进行了网上电子招标,上海中远海运重工有限公司在中远海运重工电子采购平台上已完成评标工作,现将中标结果公示如下: ##purchase department## has conducted online electronic bidding on ##project##. ##purchase department department##has comp...
Adv. Mater. 2014, 26(10), 1590–1595-si-0001-S1 来自 ResearchGate 喜欢 0 阅读量: 28 作者:Bing-Yan Wei,Wei Hu,Yang Ming,Fei Xu,Yan-Qing Lu 摘要: Researches on Airy beams have grown explosively since the first demonstration in 2007 due to the distinguishing properties of nondiffraction,...
回答 1. 解释“ipmi_si ipi0001:00: interface detection failed”错误信息 该错误信息“ipmi_si ipi0001:00: interface detection failed”表示系统智能平台管理接口(IPMI, Intelligent Platform Management Interface)的系统接口(SI, System Interface)在尝试检测或初始化IPMI硬件接口时失败了。IPMI是一种开放标准,允许...
部分标准提供预览和封面图,这些内容由系统根据一般约定生成,不意味着与正式版本一致,请以正式版本为准。 为响应国家号召,推广中国国家强制标准,部分GB(中国国家强制标准)可以在本站下载到标准文本,也可以前往中国国家标准化委员会网站下载。除此以外的所有标准,本站均没有相应标准的完整文本,无法提供下载,页面上提供的...
摘要:利用光学显微镜的反射模式观察了升华法生长的6H2S iC单晶(0001)S i2面的生长形貌,应用台阶仪测定了生 长台阶高度。实验发现,6H2S iC单晶的生长台阶呈螺旋状,生长台阶呈现出了韵律束合现象。在单晶中间部分,生 长台阶稀疏,台面较宽,约80μm左右,台阶高度较小,约20～50nm,比较宽的台面上存在小生长螺旋。
用低压化学沉积(LPCVD)方法在偏向<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长,利用Nomarski光学显微镜和原子力显微镜(AFM)研究了原生长4H-SiC外延膜的表面形貌.在450℃下熔融的KOH中经过6分钟腐蚀后,4H-SiC表面出现了六角形蚀坑,壳形蚀坑和蚀坑线,这三种蚀坑分别起因于平行于C-轴的...
偏晶向$面衬底上)&444!6JW5W6J& 的 9$&<.外延生长 王!雷!孙国胜!高!欣!赵万顺!张永兴!曾一平!李晋闽 中国科学院半导体研究所$北京!,#%+++-0 摘要’化学气相沉积#是微电子器件用%为了获得高质量的(#aN%;#外延材料的主要 生长技术 28J%;#外延材料$0%在偏向/方向-的(面衬底上$利用台阶控制生长技术 ...
偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长,偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长,蓝宝石衬底,硅衬底,led蓝..
从实验出发,用LPCVD外延 系统在偏向11-20方向8°的4H-SiC(0001)Si面衬底上,利用CVD技术进行了4H-SiC同质外延生长。外延后在熔融KOH腐蚀液中进行 腐蚀,使用SEM和光学显... 李哲洋[1],刘六亭[1],董逊[1],... - 《电子工业专用设备》 被引量: 23发表: 2005年 Surface chemical states on LPCVD-grown 4H...
批准日期审核日期编写日期百仕达物业文件编号si0000ly0001版本更改百仕达物业员工文明用语本页总页131020303132321目的规范员工用语以提高工作质量及服务水平 百仕达物业 百仕达物业员工文明用语 1.0 目的 规范员工用语,以提高工作质量及服务水平。 2.0 适用范围 适用于百仕达物业员工。 3.0 3.1 内容 日常礼貌用语 1) 问候语:...