在460 cm-1左右出现的吸收峰是Si-O键的弯曲振动所致,这些都是中孔分子筛的特征吸收谱带.960 cm-1处出现的吸收峰是Al取代Si后骨架局部不对称所致,有的认为是Si-O键伸缩振动而引起的特征吸收,有的认为是由于缺陷位造成的骨架局部不对称性所致,纯硅中孔分子筛亦存在一定...
采用红外吸收谱分析发现在两种Si颗粒的表面都形成的Si氧化层,不同的是纳米级Si颗粒表面的氧化程度更高。除了Si颗粒表面的氧化之外,我们还在纳米Si颗粒表面观察到了SiO-H键(3324/cm)的峰,以及位于1625/cm的吸附水分子的峰和2258/cm处的CO2峰,表明纳米Si材料表面不仅仅被严重的氧化,还吸附了空气中的水分和二氧化碳...
纯的SiO2中怎么有Si-H键，如果有少量-OH存在的话，Si-H键的振动就比较复杂，可能会出现多种频率的...
二氧化硅的红外光谱和XRD谱图的解析 波数:3441.90 cm-1处出现的较宽的吸收峰,对应于-OH基的反对称伸缩振动和对称伸缩振动。1629.68(HOH).1103.05(SiO) cm-1处出现的强吸收谱带归属于Si-O-Si的反对称伸缩振动吸收。970.27(???), 因为此区域处于指纹区,此峰不必归属;何况还可能存在氧化铝、氧化铁。798.69(SiO)...
匿名 用户注销 (小有名气) 应助: 0 (幼儿园) 金币: 22.5 散金: 75 红花: 1 帖子: 81 在线: 68.5小时 虫号: 0 注册: 2010-03-25 专业: 应用高分子化学与物理本帖仅楼主可见 » 猜你喜欢入职一年 已经有25人回复 25申博没有文章真的没博读吗? 已经有18人回复 第一次发文章,怎么老是担心,...
二氧化硅的红外谱图峰分析测试二氧化硅样品后在以下位置有峰,求高手解析.波数: 3441.90(OH) 1629.68(HOH) 1103.05(SiO) 970.27(?) 798.69(SiO) 470.11(SiOSi)这是我们的样品测试的XRD谱图,我们不会解析,求助各位大侠.里面可能有二氧化硅,氧化铝,氧化铁等,求全分析.AngleIntensity %d value2-Theta °%Angstrom...
然而,低 Si―OH 含量下水吸收峰的干扰和高 Si―OH 含量下吸收峰饱和限 制了测量范围。使用傅里叶变换红外光谱法测量不同 Si―OH 含量和厚度的熔石 英样品在 2500 cm-1~5000 cm-1 波段的透过率,消除水分子吸收带对 3673 cm-1 波数 Si―OH 吸收峰的干扰;分别使用 3673 cm-1 和 4522 cm-1 峰对不 ...
图1是本实施例中所用有机硅树脂、聚碳硅烷及所得共混聚合物的红外谱图。从图1可知,有机硅树脂在3500cm-1附近存在si-oh吸收峰,1200cm-1～1000cm-1范围内存在si-o-si键吸收峰,2900cm-1附近对应c-h吸收峰,1260cm-1处为si-ch3的吸收峰,在1650cm-1～1450cm-1范围内有明显的苯基吸收峰;聚碳硅烷在2900cm...
氧在硅中处于间隙位置,它破坏Si—Si键而形成Si—0键。由于Si—0键的伸张运动,在9μm T(Z)=T。+ηCL(Z) 处产生很强的红外吸收峰,其半峰宽与氧浓度有关,因此可用此吸收峰来测定硅中的氧含量。 式中n为液相线斜率。 (4-44) 如将含氧硅进行热处理,则硅与氧之间会发生一系列反应: 稳定的杂质富集层...
This peak shape is too similar to me. I want to know which kind of material you measured?