我在做二氧化硅的XPS分析，想分析出二氧化硅表面羟基是否存在，但只知道二氧化硅的Si-O结合能，不知道Si-...
为了研究表面化学状态，包括表面元素组成和功能组，进行了 X 射线光电子能谱 (XPS)。图 4a、b 显示了 Si 表面的 Si 2p 光谱。主要峰分别为 Si 2p3/2、Si 2p1/2 和 Si–O。O2 等离子体活化后，Si–O 共价键峰的强度增加。这种变化表明 O2 等离子体破坏了 Si–Si 键，形成了 Si 表面的氧化，这可能...
键合晶片脱键后，再次对表面进行XPS测试，如图11(j)-11(l)所示，相对于表面Si的沉积，O元素的信号峰进一步加强，说明在大气环境键合过程中以及随后的键合强度和XPS测试中，Si原子层表面被进一步氧化。同时，在LiNbO3和GaAs侧均检测到Si和O元素信号峰，LiNbO3/GaAs键合对的高键合强度主要是通过Si原子层实现的。此外...
GaN NWs不具有Cu 2p3/2XPS谱,Cu/GaN/Si具有较强的Cu−Cu键和较小的Cu−OH键。Cu/GaN/Si的Cu−S峰较强,而Cu−Cu峰相对较小。Cu 2p3/2XPS光谱中Cu-Cu键和Cu-S键共存,表明Cu NPs为Cu和Cu相的轻微还原形式。GaN/Si和Cu/GaN/Si在XPS中没...
图2是放置不同数量硅块制备的TiAlCrN涂层的XPS (Si2p)。在结合能101.66—102.06 eV范围内的峰为Si3N4,其附近的峰与已有文献中发现的Si-N和Si-N-O接近。由表1可见,放置不同数量硅块引起的TiAlCrN涂层中硅含量变化中是明显的,随硅...
采用XPS分析不同电解质中所形成SEI的组成差异。如图3A所示,由C1s谱知,CarEl-SEI和GlyEl-SEI在290.7~291.7 eV峰值处(对应碳酸盐化合物)的差异最明显,110次循环后GenII-SEI中该峰的强度明显高于GlyEl-SEI;且GlyEl-SEI中包含更高浓度的醚基团(C-O)(287.2-289.8 eV 处的C 1s峰强度更高)。图3B详细介绍了C 1s...
GaN NWs不具有Cu 2p3/2XPS谱,Cu/GaN/Si具有较强的Cu−Cu键和较小的Cu−OH键。Cu/GaN/Si的Cu−S峰较强,而Cu−Cu峰相对较小。Cu 2p3/2XPS光谱中Cu-Cu键和Cu-S键共存,表明Cu NPs为Cu和Cu相的轻微还原形式。GaN/Si和Cu/GaN/Si在XPS中没有S 2p,但CuS/GaN/Si有明显的S−Cu键,这说明了...
我做的Si-TiO2，查文献二氧化硅的XPS在103.4，而Ti-O-Si比这个值低，而我的比这个高，在104.8ev...
XPS图谱可以看到,Si@a-TiO2纳米颗粒出现了一个独特的Ti 2p峰值而且Si 2s和Si 2p峰值相比原始硅纳米颗粒密度降低,说明Si核层很好地被TiO2壳层包覆。此外,O 1s高分辨率 XPS谱可以看到Ti 2p峰被分成两个单峰对应 O-H(531.7 eV)和Ti-O(530.4 eV),说明在在无定形二氧化钛矩阵中Ti-OH基团的存在。XRD图谱也证实...
第6期卢铁城等:si基体上双层Ti一0薄膜的xPs和AEs分蜒塞翌 变化导致的化学位移来了解元素所处的化学态.这就是XPS测量的 基本原理. 处于激发态的原子经内部转换过程将能量转移至较外层电子,使其 发射,测量该电子能 量分布图即为俄歇电子谱.AES和离子溅射蚀刻剥层技术结合起来 ...