为了研究表面化学状态，包括表面元素组成和功能组，进行了 X 射线光电子能谱 (XPS)。图 4a、b 显示了 Si 表面的 Si 2p 光谱。主要峰分别为 Si 2p3/2、Si 2p1/2 和 Si–O。O2 等离子体活化后，Si–O 共价键峰的强度增加。这种变化表明 O2 等离子体破坏了 Si–Si 键，形成了 Si 表面的氧化，这可能...
XPS 谱图解读 Si2p 峰具有间隔很小的自旋轨道分裂峰 (Δ=0.63eV) 通常只需要考虑单质 Si。 硅化合物的 Si2p 峰分裂可忽略。 观察到两个不同的对称峰(在低通能下)或单个不对称峰(在较高通能下)。 观察到的自旋轨道分裂峰谱图的分辨率会受到元素硅的结晶度/无定形特性的影响。
在XPS分析中,有一种常用的分峰检测方法,叫做Si分峰检测。该方法是XPS技术中的一种高峰分辨率技术,主要用于分析样品中是否存在Si元素,并进一步分析该元素的化学状态。 Si分峰检测原理是利用X射线对样品表面进行轰击,使其中的Si元素逸出,并随着光电子发射出去。接收光电子的探测器会记录光电子的能量和数目,根据光电子...
特别是最后一步，表面处理不仅强烈影响生长速率，而且强烈影响整体氧化物和Si/Sio2界面的性质，通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)对薄氧化物层的结构质量进行了比较分析，并与不同的清洗程序所产生的影响有关，这些都是基于标准的RCA方法加上高频溶液蚀刻法，所得结果表明，红外技术能够理解所涉及的现象和完成XPS分析。
与XPS结果类似,无论使用何种电解质,正极光谱都表现出相似的特征,而Si负极则表现出明显的峰。这样的观察表明,负极侧的添加剂分解更严重,对整体电池性能的影响更大。在原始Si电极上,在1722 cm-1和1355 cm-1处观察到的两个峰可分别...
Si-O-C 因为容易水解一般都是将样品在四氯化碳中加入盐酸及水反应，此时，硅氧烷链节溶解于四氯化碳中，...
与XPS结果类似,无论使用何种电解质,正极光谱都表现出相似的特征,而Si负极则表现出明显的峰。这样的观察表明,负极侧的添加剂分解更严重,对整体电池性能的影响更大。在原始Si电极上,在1722 cm-1和1355 cm-1处观察到的两个峰可分别...
通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)对薄氧化物层的结构质量进行了比较分析,并与不同的清洗程序所产生的影响有关,这些都是基于标准的RCA方法加上高频溶液蚀刻法,所得结果表明,红外技术能够理解所涉及的现象和完成XPS分析。
随着球磨时间的增加,这些特征峰的强度逐渐降低,并且特征峰也开始变的宽阔,这表明Si和SiO2开始反应生成SiOx材料,但是不同与前面XPS和NMR观察到的结果,即便是在24h和36混合后,我们仍然能够在材料中观察到晶体Si的特征峰,但是长时间混合(36h)后我们能够在材料中观察到Fe,以及FeSi杂质,因此混合时间为24h时我们能够得到...
与XPS结果类似,无论使用何种电解质,正极光谱都表现出相似的特征,而Si负极则表现出明显的峰。这样的观察表明,负极侧的添加剂分解更严重,对整体电池性能的影响更大。在原始Si电极上,在1722 cm-1和1355 cm-1处观察到的两个峰可分别归因于来自聚酰亚胺粘合剂的C=O和C-N键,这与XPS结果一致(图6)。而对于...