封装 SOT-23 批号 20+ 数量 7883502 FET类型 N 漏源电压(Vdss) 20 漏极电流(Id) 2.3 漏源导通电阻(RDS On) 0.08 栅源电压(Vgs) 8 最大耗散功率 0.35 配置类型 标准 工作温度范围 -55~150 安装类型 贴片 应用领域 照明电子 可售卖地 全国 型号 SI2302 价格说明 价格:商品在爱采购...
SI2302在SOT-23封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为72mΩ,是一款N沟道低压MOS管。SI2302的最大脉冲正向电流ISM为10A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SI2302功耗(PD)为1.25W。SI2302的电性参数是:正向电流(Io)为3A,漏极-源极击穿电压为20V,二极管正向电压(VSD)为...
SI2302在SOT-23封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为72mΩ,是一款N沟道低压MOS管。SI2302的最大脉冲正向电流ISM为10A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SI2302功耗(PD)为1.25W。SI2302的电性参数是:正向电流(Io)为3A,漏极-源极击穿电压为20V,二极管正向电压(VSD)为...
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封装 SOT-23-3L 批号 20+ 数量 52254 FET类型 N沟道MOSFET 漏源电压(Vdss) 20V 漏极电流(Id) 3A 配置类型 Single 工作温度范围 -55℃ ~ +150℃ 安装类型 THT(通孔插装) 应用领域 3C数码,医疗电子,物联网IoT,新能源,军 可售卖地 全国 型号 SI2302 价格说明 价格:商品在爱采购的展示...
SI2302 SOT-23 丝印A2SHB耐压20V电流3A 贴片MOS管 N沟道场效应管 深圳市卓诚世纪科技有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.13成交15700PCS 国产芯片 ALJ2302 SI2302 2302 TO-92直插 N沟道/MOS管场效应管 深圳市科睿芯特电子有限公司3年 ...
si2302场效应管参数引脚图 漏极电流(ID):3 A 漏-源极电压(VDSS):20 V 漏-源极通态电阻(RDS(on)):0.06 Ω 耗散功率(PD):1.25 W 封装:SOT-23 SI2302参数详情 型号:SI2302 特性:N沟道低压MOS管 电性参数:3A 20V 正向电流(Io):3A 静态漏极源导通电阻(RDS(ON)):72mΩ ...
封装 SOT-23 批号 23+ 数量 898000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -20C 最大工作温度 125C 最小电源电压 2.5V 最大电源电压 6.5V 长度 5.7mm 宽度 9.9mm 高度 1.2mm 可售卖地 全国 型号 SI2302 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等...
ASEMI品牌SI2302是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了SI2302的最大漏源电流2.9A,漏源击穿电压20V. •细节体现差距 SI2302,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。 SI2302具体参数为:最大漏源电流:2.9A,漏源击穿电压:20V,反向恢复时间: ns,封装:SOT-23...