在这个简短的教程中,我们将演示如何使用Device Studio研究Si(100)表面的所谓不对称二聚体重构。 5.5.1 DeviceStudio构建几何结构 (1)打开DeviceStudio,新建目录Si100。 (2)从数据库中导入,坐标文件Si100.hzw如下: (3)在Z方向扩抱3倍→选中要删除的原子delete→加H钝化→设置Z方向晶格为26Å,最终得到如下结构。
本实施例中,步骤2)中si(100)晶片放置在刻蚀液中进行刻蚀时的刻蚀温度为70～75℃,相对现有技术的刻蚀温度有所降低,从而能够进一步降低面刻蚀速率,从而使得使si{111}、si{100}和si{110}刻蚀速率均匀,获得刻蚀速率更加均匀且光滑平整的si{110}、si{100}和si{111}面,光滑平整的si{111}和si{110}晶面相交得到平直...
表面重构是硅纳米薄膜的一种重要表面行为,而,,,的表面重构是人们研究较多的重构问题之一,同时此晶面也是试验上常用的硅基薄膜生长的衬底面。因此,本文首先对,,,面重构情况进行分子动力学模拟,在此过程中分别采用,,,势与,,,势两种不同势函数,对两种模拟结果进行了比较,找出了这两种势函数下发生重构的温度范围。
为了解决上述技术问题,本创造接受的技术方案为: 一种si(100)晶片上平直的si{111}与si{110}面交线的制备方法,实施步骤包括: 1)预备添加有用于降低面刻蚀速率的添加剂的刻蚀液; 2)将用于制备si{111}与si{110}面交线的si(100)晶片放置在刻蚀液中进行刻蚀,且在刻蚀过程中定时往刻蚀液中补充添加剂使得刻蚀液的...
本文首次提出了由标准SC1/SC2腐蚀周期引起的Si (100)表面改性的证据。SC1/SC2蚀刻(也称为RCA清洗)通过NH3:H2O2:H2O混合物使硅片氧化,在稀释的HF中去除氧化物,通过HCl:H2O2:H2O混合物进一步氧化,并在稀释的HF中进行最终蚀刻。使用高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)-平行电子能量损失光谱(皮勒斯)和低能电子衍射(LEED)技...
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这就是说，Ge、Si晶格是由两套简单的面心立方晶格构成，是一种较为复杂的晶格，正因为Ge、Si晶格可由基本的面心立方晶格套构而成，所以常常把Ge、Si的结构归属于面心立方晶格。图1-3面心立方晶格 图1-4锗、硅的晶格结构 光电材料与半导体器件 由图1-4可见，处于正四面体中心的原子和四面体顶角的原子，分别...
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(3): Console口 (4): 10/100/1000 Base-T自适应以太网端口状态指示灯 (5): SFP+口状态指示灯 (6): 系统状态指示灯(SYS) 图1-2 S5130-28S-SI后面板示意图 (1): 交流电源接口 (2): 接地螺钉 1.2.2 S5130-52S-SI交换机 图1-3 S5130-52S-SI前面板示意图 (1): 10/100/1000 Base-T自...