SiO2:原子晶体,其中每个硅原子周围都结合着4个氧,所以1molSiO2含4mol硅氧共价键. Si:原子晶体,其中每个硅原子周围都结合着4个硅,所以每个硅原子平均拥有2根共价键,1molSi含2mol硅硅共价键. H2O2:是分子晶体,其中每个分子中含2根氢氧键、1根氧氧键,所以1molH2O2含3mol共价键. P4:是分子晶体,其中每个分子中...
【解答】①H2O2表示双氧水或双氧水分子;②Si表示硅元素或硅原子或硅这种物质;③SO42-表示硫酸根离子;④核内质子数为9,核外电子数为10,二者不相等,故表示离子;⑤Mg表示镁元素的化合价为+2价;故选:B。 结果一 题目 下列化学用语表示离子的是:( )①H2O2②Si ③SO42﹣④ A. ①② B. ③ C. ②④ D. ...
A.①② B.③④ C.②④ D.③⑤试题答案 在线课程 B ①H2O2表示双氧水或双氧水分子;②Si表示硅元素或硅原子或硅这种物质;③SO42﹣表示硫酸根离子;④核内质子数为9,核外电子数为10,二者不相等,故表示离子;⑤表示镁元素的化合价为+2价;故选B练习...
解答 解:①H2O2微观上可表示过氧化氢分子.②Si可表示硅元素、1个硅原子.③由离子的表示方法,在表示该离子的元素符号右上角,标出该离子所带的正负电荷数,数字在前,正负符号在后,带1个电荷时,1要省略.SO42-可表示硫酸根离子.④图中粒子,质子数=9,核外电子数=10,质子数<核外电子数,为阴离子.故表示离子的...
使用H3PO4:H2O2:H2O（1:1:20）溶液刻蚀剥离的InGaAs薄膜，刻蚀速率为300nm/min。图5（e）-5（f）示出了不同刻蚀时间下Si基InGaAs薄膜的功率相关PL光谱。泵浦功率从21.8 mW变化到66.0 mW。随着湿法蚀刻时间的增加，剥离的InGaAs薄膜的PL强度增加。当蚀刻时间达到90秒时，PL强度逐渐稳定。这表明在InP和InGaAs...
(4)与酸反应:Si在含氧酸中被钝化,在有氧化剂(如HNO3、CrO3、KMnO4、H2O2等)存在的条件下,与HF反应:3Si+ 4HNO + 18HF3H2SiF6+4NO ↑+8H2O;在高中一般不写HNO3,产物则是SiF4。(5)与碱反应:粉末状硅能猛烈地与强碱反应,放出H2;Si+ 2NaOH + H2O Na2SiO3+ 2H2↑(6)制取方法:制取粗硅,工业上,用...
列化学用语表示离子的是( ) ① H2O2 ②Si③ SO42− ④ (-3)^(1/3) ⑤ 2Mg A. ①② B. ③④ C. ②④ D. ③⑤
其中大部分都是现成的，唯一的专用设备是光刻胶旋转器、接触掩模和热氧化炉，和能够容纳晶片的特氟隆烧杯，所需的材料包括(110)轻掺杂硅晶片、光致抗蚀剂、光致抗蚀剂显影剂、氢氟酸(在H2O为50% HF)、氟化铵(在H2O为40% NH4F)、浓硫酸(H2SO4)、30%过氧化氢溶液(不稳定的H2O2是优选的，稳定的H2O2包含锡...
不同工艺后，硅片表面会受到有机杂质和金属离子污染的影响。在此基础上，分别使用SC-1液体（H2O：H2O2：氢氧化铵=5：1：1）和SC-2液体（H2O：H2O2：HCl=6：1：1）清洗有机杂质和金属离子。利用热生长技术在硅片上去除厚度为70nm的二氧化硅层。在制作掩模之前，根据甲苯、丙酮、酒精和水的顺序清洗晶片。光刻胶...
分析:根据离子的表示方法:在表示该离子的元素符号右上角,标出该离子所带的正负电荷数,数字在前,正负符号在后,带1个电荷时,1要省略以及离子的核外电子数与核内质子数不相等进行解答. 解答:解:①H2O2表示双氧水或双氧水分子;②Si表示硅元素或硅原子或硅这种物质;③SO42-表示硫酸根离子;④核内质子数为9,核外电...