由于耗尽型晶体管的常开特性会增加电路设计的复杂性和功耗,因而设计一种在零栅极偏压下关断的增强型高电子迁移率晶体管结构外延片对于推进功率器件方面的应用至关重要。可供增强型(E-mode)氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)结构外延片,具体的外延结构请参见下表: ...
可供耗尽型(D-mode)硅基氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管 (HEMT) 外延片。氮化镓材料比硅和碳化硅具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场,所制备的功率器件具有更好的传导和开关性能。
AFJSONRequestSerializer JSON AFPropertyListRequestSerializer PList(是一种特殊的XML,解析起来相对容易) 说到这里就说下自己陷入的误区 iOS客户端这块是直接传递流的也就是(NSData) 但是AF的 AFHTTPRequestSerializer 和 AFJSONRequestSerializer是传递有区分 AFHTTPRequestSerializer的传递 在底层又对 参数和参数值进行了一...
光约束AlGaAs/GaAs异质结结构在近红外窗口表现出强PL,其中生物材料具有最小吸收(700–1300 nm)。这使得在近红外区域发射的GaAs/AlGaAs和其他半导体微结构对开发用于监测体内生物过程的光子纳米生物传感器具有潜在的吸引力
基于强极化诱导效应和较大的能带位移,AlGaN/GaN异质结构界面能够形成强量子局域高浓度二维电子气(2DEG),是至今为止能够提供最高2DEG浓度的半导体材料体系。提供氢化物气相外延蓝宝石基GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)外延片,用于功率器件或射频器件,具体参数结构如下:...