Shockley-Read-Hall (SRH) 复合模型是一种用于描述半导体材料中载流子复合过程的理论模型。它被广泛应用于半导体器件的设计和性能评估。 SRH 复合模型基于以下假设:在半导体材料中存在着缺陷能级,这些能级可以捕获和释放自由载流子(电子或空穴)。当一个自由载流子遇到一个缺陷能级时,它可能会被俘获,并在缺陷能级中发生非...
Shockley-Read-Hall (SRH) 复合模型在半导体领域是重要理论，旨在描述半导体材料中载流子的复合过程。模型假设半导体材料内存在缺陷能级，能级捕获自由载流子，发生非辐射复合或释放参与辐射复合。SRH 模型引入了弛豫时间概念，表示载流子在缺陷能级停留的平均时间。模型通过方程描述载流子浓度和寿命之间的关系，其中...
在半导体技术的精密领域中，SRH（Shockley-Read-Hall）复合模型扮演着基石的角色，它如同一个魔术师的手法，精准地描绘了载流子在材料内部的神秘舞蹈。这个理论模型为我们揭示了半导体器件内部复杂行为的内在逻辑，对于其设计和性能优化至关重要。SRH模型的核心理念是，半导体中的缺陷就像一个个能量陷阱，能捕...
Shockley-Read-Hall (SRH) recombination dark current in planar diffused P~+n heterostructure InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP high density small pitch Focal... R Dewames,EA Decuir,J Schuster,... - Spie Defense + Security Conference 被引量: 0发表: 2018年 Measurement of the conduction-band ...
In this paper, we use the theory of Evans and Landsberg, which is a generalization of the Shockley–Read–Hall recombination statistics in the space charge region (SCR), to include effects of Auger and radiative recombination processes that are also of origin in the SCR. Using analytical expres...