最大电源电压 7.5V 长度 9.7mm 宽度 3.2mm 高度 1.9mm 可售卖地 全国 型号 SGTP75V65SDB1P7 供应75A、650V igbt逆变开关电源SGTP75V65SDB1P7 ,更多SGTP75V65SDB1P7 产品详细参数、规格书及相关资料请士兰微MOS代理商骊微电子申请 gt;> 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因...
Type Designator: SGTP75V65SDB1P7 Type: IGBT + Anti-Parallel Diode Marking Code: P75V65SDB1 Type of IGBT Channel: N Pcⓘ - Maximum Power Dissipation: 395 W |Vce|ⓘ - Maximum Collector-Emitter Voltage: 650 V |Vge|ⓘ - Maximum Gate-Emitter Voltage: 20 V |Ic|ⓘ - Maximum...
SGTP75V65SDB1P7 IGBT芯片|Silan士兰微代理商 SGTP75V65SDB1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。 主要特点 75A,650V,VCE(sat)(典型值)=1.42V@IC=75A 低导通损耗 快开关速度 高输入阻抗 TJmax...
产品名称:SGTP75V65SDB1P7文档类型:说明书 版权:杭州士兰微电子股份有限公司公司主页:http://www.silan.com.cn 版本:1.1 修改记录: 1.增加T=150?C时的IGBT电性参数 C 2.增加T=150?C时的FRD电性参数 C 版本:1.0 修改记录: 1.正式版本发布 杭州士兰微电子股份有限公司版本号:1.1 http://www.silan.com....