对于IGBT器件而言，其核心参数包括饱和压降典型值、关闭损耗、二极管正向压降以及栅极电荷。而对于SJ MOS管和SGT MOS管，其关键性能指标则主要聚焦于导通电阻与栅极电荷的乘积优值以及单纯的导通电阻。这些参数不仅决定了器件的性能优劣，更是各类应用场景选择功率器件的重要依据。
鲁晶SGT MOSFET在电动工具、锂电保护板推荐应用 SGT MOSFET优势介绍 MOSFET大致分类：平面型MOSFET；Trench （沟槽型）MOSFET，主要用于低压领域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽栅沟槽）MOSFET，主要用于中压和低压领域；SJ-（超结）MOSFET，主要在高压领域应用。SGT MOSFET结构具有电荷耦合效应，在传统沟槽MOSFET器件...
MOSFET大致可以分为以下几类:平面MOSFET;沟槽MOSFET,主要用于低压(100V)领域;SGT(Shielded Gate Transistor,屏蔽栅极沟槽)MOSFET,主要用于低压(200V)领域;SJ-MOSFET,即超级结MOSFET,主要应用于高压(600V-800V)领域。 SGT工艺比普通沟槽更简单,开关损耗更小。此外,SGT比普通沟槽工艺深3-5倍,可以使用更多的外延体积来...
SGT的跨导(gm)更高,因分栅设计增强栅极对沟道的控制(例如gm=50mS/mm vs. 平面MOS的30mS/mm)。 动态特性与开关损耗 导通延迟(td(on)):因Qg低,SGT的td(on)可缩短至8-12ns(平面MOS约15-20ns)。 关断损耗(Eoff):低Cgd和Qgd使Eoff降低50%(例如30V器件Eoff=10nJ vs. 平面MOS的20nJ)。 5. 电容特性...
SGT MOSFET的三大优势介绍:MOSFET大致可以分为以下几类:平面型MOSFET;Trench (沟槽型)MOSFET,主要用于低压领域;SGT(Shielded Gate Transistor,屏蔽栅沟槽)MOSFET,主要用于中压和低压领域;SJ-(超结)M…
(图1:Trench MOS和SGT MOS器件结构) MOSFET大致可以分为以下几类:Trench (沟槽型)MOSFET;SGT(Shielded Gate Trench,屏蔽栅沟槽)MOSFET,主要用于中低压领域;平面型MOSFET;SJ-(超结)MOSFET,主要在高压领域应用。 SGT MOSFET及其优势 SGT工艺比普通沟槽工艺挖掘深度深3-5倍。在栅电极下方增加了一块多晶硅电极,即屏蔽...
图1:Trench MOS和SGT MOS器件结构 SGT技术优势,具体体现: 优势1:提升功率密度 SGT结构相对传统的Trench结构,沟槽挖掘深度深3-5倍,可以横向使用更多的外延体积来阻止电压,显著降低了MOSFET器件的特征导通电阻(Specific Resistance),例如相同的封装外形PDFN5*6,采用SGT芯片技术,可以得到更低的导通电阻。 图2:Trench MO...
图5:SGT MOS built-in Sunbber结构 值得一提的是,依托本土庞大的中压MOSFET市场需求,国产器件在中低压领域替换进口品牌的潜力极大,维安在高功率密度、低内阻的SGT MOSFET上面进行积极布局,结合市场和客户的需求,在产品工艺、封装上持续创新。 针对不同的应用场景,在产品系列、规格尺寸上推荐选型如下: ...
图1:Trench MOS和SGT MOS器件结构 MOSFET大致可以分为以下几类:Trench (沟槽型)MOSFET;SGT(Shielded Gate Trench,屏蔽栅沟槽)MOSFET,主要用于中低压领域;平面型MOSFET;SJ-(超结)MOSFET,主要在高压领域应用。 SGT MOSFET及其优势 SGT工艺比普通沟槽工艺挖掘深度深3-5倍。在栅电极下方增加了一块多晶硅电极,即屏蔽电极...
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