R2,也对应于图6中的W1。 [0098]本发明实施例中,在原胞区中,还包括: [0099]栅极结构205,由栅介质层和栅极导电材料层叠加而成。 [0100]栅极结构205设置在第一沟槽202之间的平台区201域中。 [0101]在一些实施例中,栅极结构205为平面栅结构。在一些实施例中也能为:栅极结构 ...
WS05-2R2PL,WD2208,WE5112KF,WS6183EF,WEOS4-100/25AS2,WS12P4N3-AT,WS6.0P4SMA-B,WMM120N04TS,SM4F20CA-AT,WE5112KS,P6KE100A,WMK26N65C4,WS05D-B-AT,WMU25N06HG2,WML25N70EM,WM02P30M,WMS098N06LG2,WS3.3-4R1PH,WS3.3-2R1N,WS58P30SMC-B,WS12D-B-AT,GDTN3RD5-150,WMK14N65SR,WM...
电阻器 - 发射极基底(R2) 标准 FET 类型 标准 FET 功能 标准 漏源电压(Vdss) 标准 电流- 连续漏极(Id)(25°C 时) 标准 不同Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 标准 不同Id 时的 Vgs(th)(最大值) 标准 不同Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) ...
SGT MOSFET作为中MOSFET的代表,被作为开关器件广泛应用于电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统,是核心功率控制部件。维安在高功率密度、低内阻的SGT MOSFET上面进行积极布局,结合市
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RJ711高精度0.01%无感采样精密电阻1/4W1R2R4R5R10R20R30R50R2K ￥30.00 查看详情 RJ80高压电阻无感高频玻璃釉绝缘耐压KV1W2W3W5W10W20W50W100WMGR ￥5.00 本店由聚企云运营支持 获取底价 商品描述 价格说明 联系我们 品牌 SGT 封装/规格 规格 可售卖地 北京;天津;河北;山西;内蒙古;辽宁;吉林;黑龙江...
电阻器 - 发射极基底(R2) Standard FET 类型 Standard FET 功能 标准 漏源电压(Vdss) Standard 电流- 连续漏极(Id)(25°C 时) Standard 不同Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) Standard 不同Id 时的 Vgs(th)(最大值) Standard 不同Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) ...
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