近日,公司成功研发出200V 、250V 先进功率SGT-MOSFET,并在国内率先实现量产,标志着丽隽的研发技术走在行业前列。 公司依托先进的12寸制造工艺平台,通过技术创新和改进,完美解决应力瓶颈问题,打造出高品质产品。产品卓越的一致性适宜于并联应用需求;优良的鲁棒性,能更好地应对电路中的干扰、防止器件误开启以及栅极震荡;...
所以SGT在雪崩方面可以做得更好,可以承受雪崩击穿和浪涌电流。 除了芯片本身的发展和迭代,封装技术的进步将对SGT的进步起到重要作用,例如150V和200V SGT MOSFET。例如,DFN5x6封装的150V MOSFET可用作内阻。低于8毫欧,采用TO-220封装的200V MOSFET低于9毫欧。 除了外封装,基于电子对MOSFET制造要求的变化,内封装技...
1.单位面积导通电阻Rsp—MOSFET导通电阻(单位面积),越低越好:Rsp=33mΩ.mm2 (100V MOSFET) 2.品质因子FOM—MOSFET Ron*Qg,越低越好:FOM=146mΩ.nC
mΩ @4.5V Qg栅极电荷 nC 场效应管种类 屏蔽栅极沟槽 场效应管 极性Polarity SGT N 应用领域 家用电器,安防设备,3C数码,智能家居等 综合参数 200V,200A,7mΩ 可售卖地 全国 型号 AP08N20T ALLPOWER/铨力 SGT场效应管MOSFET AP08N20T TOLL-8L 200V,200A,7mΩ 价格说明 价格:商品在爱采购...
N沟道功率MOSFET 12V-2500V(133) 超结功率MOSFET 500V-950V (5) SGT 功率MOSFET 30V-200V(1) P沟道功率MOSFET 12V-250V (10) Depletion Mode MOSFET (4) Multi-Channel MOSFET(0)↔左右滚动查看完整表格内容 重置 保存为Excel Type numberPackage_nameConfigurationTypeVDS (V)VGS (±V)VGS(th) (max...
200V SGT MOS: 传统终端设计:BV≈240V,终端宽度=80μm。 屏蔽栅场板设计:BV≈280V,终端宽度=60μm。 4. 终端结构对芯片面积的影响 面积优化机制 终端宽度缩减: 屏蔽栅的场板效应允许更小的终端宽度,从而减少终端区域占用的芯片面积。 例如,100V器件的终端宽度从50μm缩减至35μm,面积减少30%。
MOSFET大致可以分为以下四类:平面型MOSFET;Trench MOSFET,即沟槽型MOSFET,主要用于低压(100V)领域;SGT(Shielded Gate Transistor,屏蔽栅沟槽)MOSFET,主要用于中低压(200V)领域;SJ-MOSFET,即超结MOSFET,主要在高压(600V-800V)领域应用。 微硕SGT工艺MOSFET新品——WSF15N10G ...
SGTMOS是新一代MOS型功率器件,全称为屏蔽栅极沟槽MOSFET,主要用于低压(200V)领域。SGTMOS器件利用电荷补偿原理,能够同时获得极低的导通电阻Ron、栅极电荷Qg以及米勒电荷Qgd,从而有效地降低系统的导通损耗和开关损耗,提升系统转换效率,提高功率密度,减少器件的并联需求,简化系统设计。 SGTMOS器件的工作原理是利用电荷耦合效...
实验验证:在200V SGT器件中,屏蔽栅可使峰值电场降低30%,BV从180V提升至220V。 材料与工艺缺陷: 外延层缺陷:晶体位错或杂质会导致局部电场畸变,BV下降20%-50%。 沟槽刻蚀精度:侧壁倾斜角需控制在85°-89°,角度偏差过大会导致电场集中(例如88°刻蚀角可使BV提高8%)。