SFD6003T属于N沟道增强型低压功率MOS场效应晶体管,采用深鸿盛最新的SGT-MOS结构设计及制造工艺,有效地降低了产品的RonSP及寄生量,具有低导通内阻,低Ciss、Qg等特点,封装有两种,分别是TO-252-2L跟TO-251D-3L,主要用于不间断电源及逆变器系统的电源管理等领域。 SFX6003T增强型n沟道mos管主要特点; 30A,60V,RDS(...