《半导体科技》(Semiconductor Science And Technology)是一本以工程技术-材料科学:综合综合研究为特色的国际期刊。该刊由IOP Publishing Ltd.出版商创刊于1986年,刊期Monthly。该刊已被国际重要权威数据库SCIE收录。期刊聚焦工程技术-材料科学:综合领域的重点研究和前沿进展,及时刊载和报道该领域的研究成果,致力于成为该领...
《SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY》期刊创刊于1986年,是由英国皇家物理学会出版的,每月出版一次。 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY的国际标准连续出版物编号(Issn号)是0268-1242。 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY目前的主编是Koji Ishibashi。 近期想要快速发表文章的同学可以添加佩普科研助理咨询,佩普学术是专...
期刊名称:SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY期刊名缩写:SEMICOND SCI TECH期刊ISSN:0268-1242E-ISSN:1361-66412024年影响因子/JCR分区:1.9/Q3学科与分区:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC - SCIE(Q3); MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY - SCIE(Q4); PHYSICS, CONDENSED MATTER - SCIE(Q3)...
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY简称:SEMICOND SCI TECH 大类:工程技术 小类:工程:电子与电气 ISSN:0268-1242 ESSN:1361-6641 IF值:2.654 出版地:ENGLAND 点击咨询相似期刊 声明:①本页面非期刊官网,不以期刊名义对外征稿,仅展示期刊信息做参考.投稿、查稿,请移步至期刊官网. ②如果您是期刊负责人且不想本...
Semiconductor Science and Technology《半导体科学与技术》 (官网投稿) 简介 期刊简称SEMICOND SCI TECH 参考译名《半导体科学与技术》 核心类别 高质量科技期刊(T2), SCIE(2024版), 目次收录(维普), 知网外文库,外文期刊, IF影响因子 自引率 主要研究方向工程技术-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程:电子...
刊名:Semiconductor science and technology 2020年第7期 摘要:In this paper, a systematic research on the total-ionizing-dose (TID) effects of NMOS and PMOS silicon-on-insulator (SOI) FinFETs is performed experimentally. The bias and geometry dependence of TID effects are analysed. The exper...
编辑部地址:IOP PUBLISHING LTD, DIRAC HOUSE, TEMPLE BACK, BRISTOL, ENGLAND, BS1 6BE 录用难度:容易 统计分析 影响因子:指该期刊近两年文献的平均被引用率,即该期刊前两年论文在评价当年每篇论文被引用的平均次数 Created with Highcharts 10.0.0年份SEMICONDUCTOR SCIENCE ANDTECHNOLOGY近年影响因子SEMICONDUCTOR...
期刊简称 SEMICOND SCI TECH 期刊出版周期 Monthly 期刊出版社/管理机构 杂志由 Institute of Physics 出版或管理。 ISSN号:(printed): 0268-1242 (electronic): 1361-6641 期刊主页 semiconductor science and technology主页 期刊评价 您选择的semiconductor science and technology的指数解析如下: 简介:SEMICOND SCI...
期刊名称:《Semiconductor science and technology》 | 2018年第6期 关键词: In-Zn-O thin-film transistors (IZO TFTs); gate driver; negative power source; low power; 2.Observation and discussion of avalanche electroluminescence in GaN p-n diodes offering a breakdown electric field of 3MVcm~(-...