虽说4LPE工艺已经是三星foundry的最后一代FinFET器件工艺了,但这仍然有利于我们了解三星foundry目前的技术发展水平,乃至当前半导体制造最尖端技术都有哪些特点。 器件微缩与密度变化 我们之前撰文谈4nm时提到过,三星4nm工艺属于7nm工艺之后的一次完整迭代,或者说这是个fullnode(不过它在基本规则上仍然较多地继承了7LPP)...
如图3a中所示,通过在n型扩散区域306n中的有源栅极g(1)的相对两侧形成源极sn和漏极dn,来在n型扩散区域306n中形成finfet形式(在该示例中)的三维(3d)n型fet(nfet)312n。类似地,如图3a所示,通过在p型扩散区域306p中的有源栅极g(1)的相对两侧形成源极sp和漏极dp,来在p型扩散区域306p中形成也是finfet形式(...
6.鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种先切sdb finfet的制造方法,用于解决现有技术中sdb先切工艺中,金属栅和钨电极压力反作用于sige或sip压力从而导致器件性能下降的问题。 7.为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种先切sdb finfet的制造方法,至少包括: 8.步骤一、提供位于基底,在所述基底...
1.一种先切SDB FinFET的制造方法,其特征在于,至少包括: 步骤一、提供基底,在所述基底上形成沿纵向间隔排列的多个Fin结构,所述Fin结构的长度方向为与所述纵向垂直的横向;所述Fin结构上形成有SiN层;所述SiN层上形成有第一硬掩膜层; 步骤二、沉积薄型氧化层,所述薄型氧化层覆盖所述基底上表面以及所述Fin结构;...