SD2931-10W 规格参数 是否Rohs认证: 符合 生命周期: Active Reach Compliance Code: compliant ECCN代码: EAR99 风险等级: 2.2 Is Samacsys: N 配置: SINGLE 最小漏源击穿电压: 125 V 最大漏极电流 (Abs) (ID): 20 A 最大漏极电流 (ID): 20 A FET 技术: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR 最高频带: ULTRA...
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型号 SD2931-10W 技术参数 品牌: ST(意法) 型号: SD2931-10W 批号: 23+ 数量: 2250 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 是 晶体管极性: N-Channel Id-连续漏极电流: 20 A Vds-漏源极击穿电压: 125 V 工作频率: 230 MHz 增益: 15 dB 输出功...
下载SD2931-10W下载 文件大小275.69 Kbytes 页19 Pages 制造商STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics] 网页http://www.st.com 标志 功能描述RFpowertransistor:HF/VHF/UHFN-channelpowerMOSFETs Description The SD2931-10 is a gold metalized N-channel MOS field-effect RF power transistor. Being electrically ide...
SD2931-10W由ST(意法半导体)设计生产,立创商城现货销售。SD2931-10W价格参考￥310.18。ST(意法半导体) SD2931-10W参数名称:漏源电压(Vdss):125V;连续漏极电流(Id):20A;导通电阻(RDS(on)):3mΩ@10V,10A;耗散功率(Pd):389W;输入电容(Ciss@Vds):480pF@50V;反向传输
SD2931-10W 数据表 (HTML) - STMicroelectronicsSD2931-10W 产品详情DescriptionThe SD2931-10 is a gold metalized N-channel MOS field-effect RF power transistor. Being electrically identical to the standard SD2931 MOSFET, it is intended for use in 50 V dc large signal applications up to 230 MHz...
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Datasheets SD2931-10W Product Attributes Id-连续漏极电流 : 20 A Vds-漏源极击穿电压 : 125 V 增益: 15 dB 安装风格 : SMD/SMT 封装: Bulk 封装/ 箱体 : M174 技术: SI 晶体管极性 : N-Channel 最大工作温度 : + 150 C 输出功率 : 150 W Hot...
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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 SD2931-10W、 ST(意法)、 全新原装 商品图片 商品参数 品牌: ST(意法) 封装: 全新原装 批号: 两年内 数量: 5000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET) RoHS: 是 晶体管极性...