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SD2933 概述 RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs 射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET MOS管 射频场效应晶体管 SD2933 规格参数 是否Rohs认证: 符合 生命周期: Active 包装说明: PLASTIC, M177, 5 PIN 针数: 5 Reach Compliance Code: compliant ECCN代码: EAR99 Factory Lead Time...
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SD2933中文资料规格参数 SD2933概述 类别:分离式半导体产品 家庭:RF FET 系列:- 晶体管类型:N 通道 频率:30MHz 增益:23.5dB 额定电压:125V 额定电流:40A 噪音数据:- 电流- 测试:250mA 电压- 测试:50V 功率- 输出:300W 封装/外壳:M177 包装:托盘 ...
SD2933 场效应管 STMicroelectronics 封装M177 批次2022 SD2933 10472 STMicroelectronics M177 2022 ￥2.8800元50~99 个 ￥2.7360元100~999 个 ￥2.5920元>=1000 个 深圳市高捷芯城科技有限公司 3年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 SD2933W 场效应管 ST/意法半导本 封装W177 批次22+ SD2933W ...
SD2933 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 频率 30 MHz 额定电压(DC) 125 V 额定电流 40 A 极性 N-Channel 耗散功率 648 W 输入电容 1.00 nF 漏源极电压(Vds) 125 V 漏源击穿电压 125 V 栅源击穿电压 ±20.0 V 连续漏极电流(Ids) ...
The SD2933 is a gold metalized N-channel MOS field-effect RF power transistor, intended for use in 50 V dc large signal applications up to 150 MHz. Its special low thermal resistance package makes it ideal for ISM applications, where reliability and ruggedness are critical factors. ...
SD2933 •GOLD METALLIZATION •EXCELLENT THERMAL STABILITY •COMMON SOURCE CONFIGURATION •P OUT =300W MIN.WITH 20dB GAIN @30MHz •THERMALLY ENHANCED PACKAGING DESCRIPTION The SD2933is a gold metallized N-Channel MOS field-effect RF power transistor.It is intended for use in 50V DC large ...
SD2933 数据表 (HTML) - STMicroelectronics 部件名SD2933 下载SD2933下载 文件大小99.91 Kbytes 页8 Pages 制造商STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics] 网页http://www.st.com 标志 功能描述RFPOWERTRANSISTORSHF/VHF/UHFN-CHANNELMOSFETs HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF...
SD2933是一款高频功率场效应晶体管，主要用于射频功率放大器和高频电子设备中。它具有以下特点：1. 高频特性好：SD2933的最高工作频率可达3GHz，适用于高频电子设备。2. 高功率输出：SD2933的最大功率输出可达300W，适用于高功率射频功率放大器。3. 高效率：SD2933的效率高达70%，能够有效地减少功率损耗。4. 耐压...