SCT3040KRHRC15:汽车级 N-通道SiC功率 MOSFET 晶体管1、描述:SCT3040KRHRC15 是一款1200V,55A的N通道硅功率功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻2、产品属性:FET 类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):1200 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A(Tc)驱动电压(最大 Rds On...
型号 SCT3040KRC14 PDF资料 集成电路-其他集成电路-SCT3040KRC14-Rohm(罗姆)-24+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线...
本文将以ROHM SiC MOSFET SCT3040KR为例说明SiC MOS应用中Vds关断尖峰的应对策略。 图1 Vds尖峰产生电流环路图 要消除这种振铃效应通常可以使用加入RCD缓冲电路解决: 图2 RCD缓冲电路 缓冲电路内的电阻仅消耗超过高压输入电压HVdc 的浪涌量,因此非放电型缓冲电路是最适合高频开关电路的电路方式,但版图布局会变得复杂,...
SCT3040KRC14 Mounting Type standard Description standard Application TO-247-4L Type standard Series standard Features standard Manufacturing Date Code standard Supplier: Shenzhen Haorui Network Technology Co., Ltd. Lead Free Status: Lead free / RoHS Compliant Datasheet: Please contact us Shipping by:...
SCT3040KRC14 电子元器件 Rohm(罗姆) 数据手册 PDF 规格书 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形...
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SCT3040KRC15是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟槽栅结构SiC MOSFET。采用电源源极引脚和驱动器源极引脚分离的4引脚封装,能够充分地发挥出高速开关性能。尤其是可以显著改善导通损耗。与以往的3引脚封装(TO-247N)相比,导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35%的损耗。
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SCT3040KRC15:1200V 单 N-通道 MOSFET 晶体管FET 类型:N 通道技术:SiC(碳化硅结晶体管)漏源电压(Vdss):1200 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A(Tj)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V功率耗散(最大值):262W工作温度:175°C(TJ)安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-4...