型号 SCT070W120G3-4AG 技术参数 品牌: ST 型号: SCT070W120G3-4AG 数量: 2000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 1.5V 最大电源电压: 9V 长度: 8.1mm 宽度: 9.8mm 高度: 2.2mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因...
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SCT070W120G3-4AG由ST(意法半导体)设计生产,立创商城现货销售。SCT070W120G3-4AG价格参考￥35.631。ST(意法半导体) SCT070W120G3-4AG参数名称:沟道类型:1个N沟道;漏源击穿电压(Vds):1200V;连续漏极电流(Id):30A;耗散功率(Pd):236W;阈值电压(Vgs(th)):4.2V;栅极
SCT070W120G3-4AG - Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package, SCT070W120G3-4AG, STMicroelectronics
B2M040120Z国产替代英飞凌IMZA120R040M1H,安森美NTH4L040N120M3S,NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K,意法SCT040W120G3-4AG。 B2M020120Z国产替代英飞凌IMZA120R020M1H,安森美NTH4L020N120SC1,NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K,意法SCT015W120G3-4AG。 B2M1000170R国产代替英飞凌IMBF170R1K0M1,安森美NTBG...
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