SCR,GTO,MOSFET,GTR,IGBT 特性实验 是二柒丫 普通女大 悲催电气5 人赞同了该文章 电力电子技术实验报告之SCR,GTO,MOSFET,GTR,IGBT 特性实验实验报告 实验预习报告 实验报告发布于 2024-12-08 14:35・IP 属地黑龙江 MOSFET 实验报告 电力电子技术 ...
3、功率场效应管(MOSFET)特性实验。 4、大功率晶体管(GTR)特性实验。 5、绝缘双极性晶体管(IGBT)特性实验。 (4)思考题 各种器件对触发脉冲要求的异同点? (5)实验访法 1、按图3-26接线,首先将晶闸管(SCR)接入主电路,在实验开始时,将DJK06上的给定 电位器RP1沿逆时针旋到底,S1拨到“正给定”侧,S2拨到“...
GTR目前其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO<SCR<GTR<IGBT<MOSFET 另外，设计电路中选择功率器件不能只...
实验一 SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT特性实验实验目的和任务 掌握各种电力电子器件的工作特性; 掌握各器件对触发信号的要求。实验内容晶闸管(SCR)特性实验; 可关断晶闸管(GTO)特性实验;功率场效应管(MOSFET)特性实验;大功率晶闸管(GTR)特性实验;绝缘双极性晶体管(IGBT)特性实验。实验仪器、设备及材料 DJK01 电源控制屏...
GTR应该是Giant Transistor，为巨型晶体管，导通工作时要求发射结集电结均正偏，与普通BJT工作类似。以上的器件主要用于大电流，高压，低频场合。而功率MOSFET由于是单极型器件，电流处理能力相对较弱，但由于其在开关过程中，没有载流子存储的建立与抽取，其频率特性好，用于高频低压领域。而IGBT，为Insulated...
将电力电子器件(包括SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT五种)和负载电阻R串联后接至直流电源的两端,由DJK06上的给定为新器件提供触发电压信号,给定电压从零开始调节,直至器件触发导通,从而可测得在上述过程中器件的V/A特性;图中的电阻R用DJK09上的可调电阻负载,将两个90Ω的电阻接成串联形式,最大可通过电流为1.3A;直...
SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验一、实验目的(1)掌握各种电力电子器件的工作特性。(2)掌握各器件对触发信号的要求。二、实验所需挂件及附件(略)三、实验线路及原理将电力电子器件(包括SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT五种)和负载电阻R串联后接至直流电源的两端,给定电压从零开始调节,直至器件触发导通,从而可测得...
IGBT GTR(电力晶体管) SCR MOSFET 器件各自优缺点。速度,全控,半控,电流,电压,载流子等。MOS管特点,正向平均电流定义。
内容提示: 实验十五 SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT 特性实验 实验十五 SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT 特性实验 一、 实验目的 (1)掌握各种电力电子器件的工作特性。 (2)掌握各器件对触发信号的要求。 二、实验所需挂件及附件 序号 型 号备 注 1 DJK01 电源控制屏 该控制屏包含“三相电源输出”, “励磁电源”...