在TRPL 中揭示的表面缺陷是裸钙钛矿多晶薄膜的本征缺陷(包括空穴和电子缺陷),并且会导致钙钛矿电池中钙钛矿吸光层与电荷传输层界面的缺陷。我 们利用空间电荷限制电流(SCLC)技术测试了单电子/空穴器件(FTO/TiO2/钙钛矿/PCBM/Ag 和 FTO/PEDOT:PSS/perovskite/Spiro-OMeTAD/Au)的电子和空穴缺陷态密度。 以空穴缺陷态...
利用SCLC技术，我们测试了FTO/TiO2/钙钛矿/PCBM/Ag和FTO/PEDOT:PSS/perovskite/Spiro-OMeTAD/Au器件，以空穴缺陷态密度为例，公式中VTFL是陷阱填充极限的起始电压，e是基本电荷，L是活性层的厚度，ε是钙钛矿的相对介电常数，ε0是真空介电常数。陷阱填充限制电压越低，意味着薄膜内的缺陷密度浓度降低，...
请问钙钛矿太阳能电池测试中的 空间电荷限制电流（SCLC）的具体测试方法和步骤是怎么样的。
请问钙钛矿太阳能电池测试中的 空间电荷限制电流（SCLC）的具体测试方法和步骤是怎么样的。
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