如图3A所示，在420K温差下能够实现 ~ 11.2%的发电效率；如图3B所示，与本课题组2023年开发的高性能P型SnSe晶体（Science 380（2023）841-846）搭配制备的Se基热电制冷器件在热端温度（Th）为室温下能够实现 ~ 73.3 K的制冷温差，其制冷性能优于Bi2Te3基等材料的制冷器件。本工作搭建了第一个无Te的Se基热电...
如图3A所示,在420K温差下能够实现 ~ 11.2%的发电效率;如图3B所示,与本课题组2023年开发的高性能P型SnSe晶体(Science 380(2023)841-846)搭配制备的Se基热电制冷器件在热端温度(Th)为室温下能够实现 ~ 73.3K的制冷温差,其制冷性能优于Bi2Te3基...
三维电荷/二维声子输运特性【Science360 (2018) 778-783】、调控形变势促进电声解耦【Science375 (2022) 1385-1389】、基于栅格化策略【Science378 (2022) 832-833】和晶格素化策略【Science380 (2023) 841-846】实现近室温制冷。
近日,实验室青年教师王东洋和北京航空航天大学赵立东教授团队合作在电子制冷材料及器件的研究上取得的最新进展《Lattice plainification advances highly effective SnSe crystalline thermoelectrics》【Science 380(2023)841-846】。青年教师王东洋为论文的第二作者,郑州大学物理学院为该论文的第二署名单位。 在该工作中,实验...
如图2A所示,单腿器件在420K温差下能够实现 ~ 11.2%的发电效率;如图2B所示,与该课题组2023年开发的高性能P型SnSe晶体(Science380(2023)841-846)搭配制备的Se基热电制冷器件在热端温度(Th)为室温下能够实现 ~73.3 K的制冷温差,其制冷性能优于Bi2Te₃基等材料制成的制冷器件[3]。
2023年,该课题组成功验证了“栅格化”策略,在P型SnSe晶体中引入微量的Cu来填充本征Sn空位,通过“晶格素化”策略实现了超高电传输性能(利于低功耗),其热电制冷器件在热端温度(Th)为室温下能够实现~ 61.2 K的制冷温差,制冷性能已接近P型商用Bi2Te3【Science 380 (2023) 841-846】。
2023年,该课题组成功验证了“栅格化”策略,在P型SnSe晶体中引入微量的Cu来填充本征Sn空位,通过“晶格素化”策略实现了超高电传输性能(利于低功耗),其热电制冷器件在热端温度(Th)为室温下能够实现~ 61.2 K的制冷温差,制冷性能已接近P型商用Bi2Te3【Science 380 (2023) 841-846】。
发现并提出了多能带协同参与的电传输增强机制【Science 351 (2016) 141-144】、三维电荷/二维声子输运特性【Science 360 (2018) 778-783】、调控形变势促进电声解耦【Science 375 (2022) 1385-1389】、基于栅格化策略【Science 378 (2022) 832-833】和晶格素化策略【Science 380 (2023) 841-846】实现近室温...
如图2A所示,单腿器件在420K温差下能够实现 ~ 11.2%的发电效率;如图2B所示,与该课题组2023年开发的高性能P型SnSe晶体(Science380(2023)841-846)搭配制备的Se基热电制冷器件在热端温度(Th)为室温下能够实现 ~73.3 K的制冷温差,其制冷性能优于Bi2Te3基等材料制成的制冷器件[3]。
如图2A所示,单腿器件在420K温差下能够实现 ~ 11.2%的发电效率;如图2B所示,与该课题组2023年开发的高性能P型SnSe晶体(Science380(2023)841-846)搭配制备的Se基热电制冷器件在热端温度(Th)为室温下能够实现 ~ 73.3 K的制冷温差,其制冷性能优于Bi2Te3基等材料制成的制冷器件[3]。