2022年，该课题组提出了基于成分和工艺调控的“栅格化”策略，通过调控材料的本征缺陷可获得更高的迁移率和近室温热电制冷性能【Science 378 (2022) 832-833】。2023年，该课题组成功验证了“栅格化”策略，在P型SnSe晶体中引入微量的Cu来填充本征Sn空位，通过“晶格素化”策略实现了超高电传输性能（利于低功耗），...
2022年,该课题组提出了基于成分和工艺调控的“栅格化”策略,通过调控材料的本征缺陷可获得更高的迁移率和近室温热电制冷性能【Science 378 (2022) 832-833】。2023年,该课题组成功验证了“栅格化”策略,在P型SnSe晶体中引入微量的Cu来填充本征Sn空位,通过“晶格素化”策略实现了超高电传输性能(利于低功耗),其热电...
2022年,该课题组提出了基于成分和工艺调控的“栅格化”策略,通过调控材料的本征缺陷可获得更高的迁移率和近室温热电制冷性能【Science 378 (2022) 832-833】。2023年,该课题组成功验证了“栅格化”策略,在P型SnSe晶体中引入微量的Cu来填充本征Sn...
2022年,该课题组提出了基于成分和工艺调控的“栅格化”策略,通过调控材料的本征缺陷可获得更高的迁移率和近室温热电制冷性能【Science 378 (2022) 832-833】。2023年,该课题组成功验证了“栅格化”策略,在P型SnSe晶体中引入微量的Cu来填充本征Sn空位,通过“晶格素化”策略实现了超高电传输性能(利于低功耗),其热电...
2022年,该课题组提出了基于成分和工艺调控的“栅格化”策略,通过调控材料的本征缺陷可获得更高的迁移率和近室温热电制冷性能【Science 378 (2022) 832-833】。2023年,该课题组成功验证了“栅格化”策略,在P型SnSe晶体中引入微量的Cu来填充本征Sn空位,通过“晶格素化”策略实现了超高电传输性能(利于低功耗),其...
2022年,该课题组提出了基于成分和工艺调控的“栅格化”策略,通过调控材料的本征缺陷可获得更高的迁移率和近室温热电制冷性能【Science 378 (2022) 832-833】。2023年,该课题组成功验证了“栅格化”策略,在P型SnSe晶体中引入微量的Cu来填充本征Sn空位,通过“晶格素化”策略实现了超高电传输性能(利于低功耗),其热电...
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Autism, susceptibility to}, 209850 (3) 378 2 2p16.3 379 2 2p16.3 380 2 2p16.3 381 2 2p16.3 382 2 2p16.3 383 2 2p16.3 384 2 2p16.2 385 2 2p16.2 386 2 2p16.2 387 2 2p16.2 388 2 2p16.2 389 2 2p16.1 390 2 2p16.1 391 2 2p16.1 392 2 2p16.1 393 2 2p16.1 394 2 2p16.1 ...