2020年初至8月31日,《SCIENCE》共刊发国内机构作为第一完成单位的文献71篇,主要涉及的栏目包括RESEARCH ARTICLE、REPORT、PERSPECTIVE、TECHNICAL COMMENTS、LETTERS以及WORKING LIFE等。其中RESEARCH ARTICLE有15篇(21.13%)。 论文信息如下 1. Fan, J...
7.Liu, L.et al., Aligned, high-density semiconducting carbon nanotube arrays for high-performance electronics.SCIENCE368 850 (2020). 全文链接: https://science.sciencemag.org/content/368/6493/850 题名:用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列 第一完成单位:北京大学电子学系纳米器件物理与化学...
Liu, L. et al., Aligned, high-density semiconducting carbon nanotube arrays for high-performance electronics. SCIENCE 368 850 (2020). 题名:用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列 第一完成单位:北京大学电子学系纳米器件物理与化学教育部重点实验室/碳基电子学研究中心 译文参考:http://pkunews....
L. Liu et al., Aligned, high-density semiconducting carbon nanotube arrays for high-performance electronics. Science 368, 850 (2020). https://eecs.pku.edu.cn/info/1082/10492.htm 2. Science:DNA定向纳米制备高性能碳纳米管场效应晶体管
利用前期发展的晶圆级高密度和高半导体纯度(~ 300 CNT/μm,99.9999%,Science 368, 850, 2020)碳纳米管阵列薄膜,同时缩减晶体管栅长和源漏接触长度(接触长度Lcon= 80 nm,栅长Lg= 85 nm),制备出CGP为175 nm的碳纳米管场效应晶体管,开态电流达到2.24 mA/μm,峰值跨导gm为1.64 mS/μm,性能超过硅基商用45...
相关论文以题为“Aligned, high-densitysemiconducting carbon nanotube arrays for high-performance electronics”于2020年5月22日发表在Science上。论文链接 https://science.sciencemag.org/content/368/6493/850 现代集成电路（IC）的发展要求按比例缩放场效应晶体管（FETs），以提供更高的密度，性能和能效。具有高...
2020年5月22日,相关研究成果以《用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列》(“Aligned, high-density semiconducting carbon nanotube arrays for high-performance electronics”)为题,在线发表于《科学》(Science,第368卷6493期850～856页);电子学系2015级博士研究生刘力俊和北京元芯碳基集成电路研究院工程师...
图3 风险区人口数量估算。(A-F):其中(A)-利用0.57的概率阈值得到的处于砷含量超过10 μg/L风险区的人口(Podgorski and Berg, 2020) 主要参考文献 Podgorski J, Berg M. Global threat ofarsenic in groundwater[J]. Science, 2020, 368(6493): 845-850. ...
原文链接:https://science.sciencemag.org/content/368/6493/850 2.在三维DNA纳米沟槽中制备精确的碳纳米管阵列 正如前面所言,制备CNT基场效应晶体管的难度在于CNT阵列的高密度和高规整度化。为了解决这一问题,哈佛大学和哈佛医学院的的尹鹏(本科毕业于北京大学)、Wei Sun教授研究团队合作开发了一种超分子组装的方...