FDG6321C详细参数说明 极性 N+P沟道 额定电压 ±20V 额定电流 2.5A / 1.5A 导通电阻 130mΩ / 230mΩ @ 4.5V, 160mΩ / 280mΩ @ 2.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压 ±0.6~2Vth (V) 封装类型 SC706应用简介 FDG6321C是一款N+P沟道MOSFET,同时包含了N沟道和P沟道的特性,在各种电源管理和功率...
封装 SC70-6 数量 5000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -30C 最大工作温度 90C 最小电源电压 5V 最大电源电压 8.5V 长度 9mm 宽度 9.5mm 高度 1mm 可售卖地 全国 型号 MT213 技术参数 品牌: 航天民芯 型号: MT213 封装: SC70-6 数量: 5000 RoHS: 是 产品种类: 电子...
TP181A3：200V/V 低电源电流：120uA（典型值） 轨至轨输出 封装： SC70-6 ...
该器件采用 SC70-6 封装,具有 Fast Switching 和低 RDS(ON) 的特点,非常适合便携式设备的负载开关应用。 FDG6332C MOSFET 的主要特点包括: 1. N+P 道沟道 MOSFET,具有 ±20V 的沟道电压和 2.5/-1.5A 的漏源电流。 2. 具有 130/230mΩ@4.5V 和 160/280mΩ@2.5V 的 RDS(ON),非常适合高速开关应用...
- 封装类型:SC70-6 应用简介:FDG6303N-VB是一款双N沟道场效应晶体管(FET),适用于多种电子应用。它的主要特点包括低阈值电压和低导通电阻,使其能够在低电压和低功率条件下有效工作。其SC70-6封装适合空间受限的应用。 应用领域:1. 电源开关模块:FDG6303N-VB可用于电源开关电路,如开关稳压器、DC-DC转换器和...
- 封装类型:SC70-6应用简介: FDG6303N-VB是一款双N沟道场效应晶体管(FET),适用于多种电子应用。它的主要特点包括低阈值电压和低导通电阻,使其能够在低电压和低功率条件下有效工作。其SC70-6封装适合空间受限的应用。应用领域: 1. 电源开关模块:FDG6303N-VB可用于电源开关电路,如开关稳压器、DC-DC转换器和...
都是图片，朗个发么 各人去芯片公司的网站上下撒 http://www.gmos-semi.com/Page.files/SC70-6Package%20Drawing.pdf
SC70 封装尺寸图 KS-6
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-0.6 A；最大漏极电压：-20 V。2. 低导通电阻：在VGS = –4.5 V时为420 mΩ；在VGS = –2.5 V时为630 mΩ。3. 低栅极电荷。4. 高性能沟道技术，实现低RDS(ON)。5. 采用紧凑的SC70-6工业标准表面贴装封装。应用领域包括变频器、工业逆变器、不间断电源、感应加热与新能源汽车。