品牌: Fuji/富士 系列: SC 3C证书编号: 0111M 额定电流: 9A 极数: 3/4 主触头触点形式: 2NO+2NC 辅助触点型式: NO/NC 线圈电压: 24V 线圈频率: 50Hz 线圈电源: 标准 额定电压: 220V 约定发热电流: 9 工作海拔高度: 常规 工作环境温度: -20-58 外形尺寸: 详细见说...
富士交流接触器SC-N4/SE【80】-N5-N6-N7-N8-N10-N11-N12-N14 价格 ￥285.00 ￥260.00 起订量 1个起批 10个起批 货源所属商家已经过真实性核验1人想买 发货地 江苏 苏州 富士 SC-N4 所属类目 电子元器件;工控电气;接触器 产品标签 富士交流接触器;富士直...
In boundary representation (B-rep) reconstruction for computer aided design (CAD) applications, it is still challenging with existing methods to distinguis... Zeyu Shen,Mingyang Zhao,Dong-Ming Yan,... - IEEE Transactions on Visualization and Computer Graphics 被引量: 0 ...
对平行分度凸轮机构的运动原理进行了分析,利用Pro/E进行二次开发,实现工作凸轮轮廓数据的计算,并对平行分度凸轮传动机构进行了运动仿真.结果显示,该平行分度凸轮CAD/C... 黄立靖 - 《洛阳师范学院学报》 被引量: 0发表: 2021年 基于知识的平行分度凸轮机构设计重...
批量生产 储存到myST 碳化硅功率MOSFET,650 V、45 A、55 mOhm(典型值,TJ = 25 C),H2PAK-7封装 产品概述 描述 所有功能 特别推荐 描述 This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2ndgeneration SiC MOSFET technology. The device features remarkably low...
Descripción SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7 Plazo estándar del fabricante 32 semanas Referencia del cliente Descripción detallada Canal N Montaje en superficie 650 V 90 A (Tc) 330W (Tc) H2PAK-7 Hoja de datos Hoja de datos Modelos EDA/CAD SCTH90N65G2V-7 Modelos ...
ISO/TC135/SC2(国际标准化组织无损检测技术委员会表面方法分技术委员会)秘书处正在征求ISO 3057:1998《无损检测 表面检测的金相复型技术》复审投票意见。 2008年,国家标准委发布GB/T 17455-2008《无损检测 表面检测的金相复型技术》,等同采用ISO 3057:1998。
聚类分析表明,卷瓣组的'川百合'(Lilium davidii)和'山丹'(Lilium pumilum)聚为第1类群;卷瓣组的'卷丹'(Lilium lanci olium),百合组的'宜昌百合'(Lilium leucanthum),亚洲百合系的'精粹,(Elite),OT杂交系的'黄精灵'(Yelloween)、'塞拉诺...
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CAD图形到MapInfo图形坐标系统的转换方法研究 UTM投影高斯投影AutoCADMapInfoWGS_84以任意平面直角坐标系的CAD图形文件转换到WGS_84大地坐标系的MapInfo图形文件为例,介绍了不同软件平台下坐标系统转换的实现方法... 付和宽,齐兵,梁强生,... - 华东地区测绘...