S5D115D1,SBD1010D2,1N4745A,1SMB5937B,SBD1005TS,BAT54ATB,SBD602AC,MB2S-10,GS2BBF,ES106P4,1SMA4753A,UF2BBF,S5D104D3,S5D104D1,1N4746A,BAS70C-AU,FR3JB,1N4744A,BZT52C7V5S,FR3JC,1SMB5938B,FR3GAF,GS2JB,SKD0204D5-AU,UF2JA,UF2JB,1SMA4752A,SS320BF,UF1ABF,FR3KB,FR1GA,...
4818653D AC220V 483510S5 110VAC 10个起订 483510S6F 220VAC 10个起订 2EV104 482828+外壳 ZB12 24VDC 10只起订 4826063D 10只起订 L111Q3 10只起订 C264-40051 C284-20021(102373) L194-5005(105709) L194-4005 C284-20012 L204-0003(103861) C264-20062 C284-40032(102609) L214-1201 L194-2005...
S57-102-MO Parker Compumotor New In Box Stepper Motor S57102MO S57-102-M0 PARKER COMPUMOTOR CP*OEM670T-RC-9530, COMPUMOTOR CM232BE-01460 GREAHEAD Parker Compumotor A83-93 A8393 Microstep Drive A Series Parker Compumotor Size 23 Servo Motor SM233AE-TGSN ...
S5MB,SL1605TL,SL503216MXXX,通讯设备,机器人,HIGH-END EQUIPMENTS,ELECTRIC VEHICLES,锂电池保护,电子烟,车联网,太阳能光伏,SMART HOME APPLIANCES,电动工具,通讯电力设备,IOT,IOV,大功率开关电源,手提电脑,太阳能光伏系统,航天领域,智能扫地机器人,不间断电源,智能手机,ELECTRIC POWER TOOLS,军事,物联网,3C数码...
25、s5、对于s4制备而成的器件,在除去栅极沟槽部分的器件表面形成图形化的注入掩膜层,通过离子注入工艺在栅极沟槽下方形成第二导电类型屏蔽层,去除注入掩膜层; 26、s6、在s5制备而成的器件表面以及栅极沟槽中形成图形化的刻蚀掩膜层,利用倾斜离子注入工艺在第一沟槽和第二沟槽侧面形成第二导电类型第一阱区; ...
8.根据权利要求7所述的集成sbd的mosfet器件制备方法,其特征在于:所述步骤s5中,沟槽的深度为0.8～2um,宽度为1～3um;栅氧层厚度为0.5～3um;多晶硅栅极区厚度为0.5～3um,宽度为1～2um。 9.根据权利要求8所述的集成sbd的mosfet器件制备方法,其特征在于:所述步骤s1中,n型衬底的掺杂浓度为1e19～1e21cm-3,厚...
2. PLC:Allen-Bradley:1756/ 1771/ 1785系列、Reliance瑞恩。 Schneider(施耐德): Modicon Quantum 140处理器、输入输出模块、电源模 块 等。 Siemens:S5/S7系列200、300、400;6AV/6GK系列备件。 3. 伺服控制系统: FANUC(发那科):伺服放大器A06B、驱动器A06B、输入输出模块 A02B/A03B、PCB板A16B/A20...
减速机:RD77-5.31-S5KW-M1 2000机械手行走减速机:WKAB67-12.44-M4 2000上棒减速机:WKAT107-19.74-200-200 从动纵向减速箱:17-1/1-D-LR-V5 减速箱:NMRV090;1:100 减速箱总成;GP47-Y1.5/0.85-12.54-4P/8P-中30-1 减速机组:DLRF05-31-DM132S-4-M2-T-5.5KW-F=300 ...
S5:晶片正面涂布一定厚度的光刻胶,并曝光、显影及腐蚀出肖特基源区窗口; S6:淀积一定厚度某种势垒金属,并热合金形成金半接触的肖特基结结构; S7:使用王水腐蚀掉肖特基结表面多余的势垒金属; S8:使用半导体专用设备蒸发台淀积多层正面引线金属层,并涂布光刻胶,并曝光及显影出适当的窗口区; S9:使用专用化学腐蚀液腐蚀...
30、s5中通过离子注入形成第二注入区,包括:通过铝(al)或硼(b)离子注入形成p型第二注入区,掺杂浓度为5×1017cm-3～1×1019cm-3; 31、s6中通过离子注入形成第一注入区,包括:通过氮(n)或磷(p)离子注入形成n型第一注入区,掺杂浓度为5×1018cm-3～5×1019cm-3。