瞻芯电子推出的SiC MOSFET IV1Q12750O3 ,漏源电压为1200V,导通电阻典型值为750mΩ,推荐使用的开通栅源电压为20±0.5 V,采用TO220-3封装,能够用于UPS电源。 2021-11-18 - 新产品 代理服务 技术支持 采购服务 IV1Q12050T3–1200V 50mΩSiC MOSFET 本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12050T3型号1200V ...
瞻芯电子推出的SiC MOSFET IV1Q12750O3 ,漏源电压为1200V,导通电阻典型值为750mΩ,推荐使用的开通栅源电压为20±0.5 V,采用TO220-3封装,能够用于UPS电源。 2021-11-18 - 新产品 代理服务 技术支持 采购服务 IV1Q12050T3–1200V 50mΩSiC MOSFET 本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12050T3型号1200V ...
2、导热硅脂的热阻 厚度假设为10um,λ=1.5W/m*K,尺寸=15mm*10mm(TO-220背板尺寸): 使用不同材料的垫片都会或多或少增加热阻,TO-220内绝缘封装无需垫片,减少了不必要热阻的增加。 总结一下 总之,碳化硅肖特基二极管是一种高性能半导体器件,而行业中推出的内绝缘型TO-220封装碳化硅肖特基二极管产品,更是从优化安...
主要研究了横向AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管(简称SBD)的正向导通特性,设计制备了基于蓝宝石衬底和硅衬底的不同器件结构的AlGaN/GaN SBD器件。测量结果表明,通过适当改变肖特基-欧姆电极布局,以及在导电衬底上施加相应的偏压,可以有效改善器件的正向导通特性。实验所制备的肖特基电极半径为120μm、肖特基-欧姆电极间距为...
GaN基功率器件凭借其临界电场高、电子饱和漂移速度大、热导率高等优良性能在大功率快充、充电桩、新能源汽车等领域具备广泛应用空间。为进一步助推半导体高频、高功率微电子器件的发展进程,天津赛米卡尔科技有限…
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进一步地,所述重掺杂n型半导体层的厚度为0.5～5um,所述重掺杂n型半导体层的掺杂浓度大于或等于1×1018cm-3;所述轻掺杂n型半导体层的厚度为0.2～50um;所述轻掺杂n型半导体层的掺杂浓度小于1×1018cm-3。 进一步地,所述sbd结构还包括缓冲层,所述缓冲层位于所述衬底与所述重掺杂n型半导体层之间。
04F20O3-353CR 04F20O3-353D 04F20O3-353DR 04F20O3103ACF 04F20O3103ACFEC15 04F20O3103ACF4C01 04F20O3103ACF4C05 04F20O3103A3F 04F20O3103A3FGC80 04F20O3103A3FOK80H 04F20O3103A3FR 04F20O3106ACF 04F20O3106ACFR 04F20O3106ADF4C12 04F20O3106A3F 04F20O3...
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