SBD一般指肖特基势垒二极管，肖特基势垒二极管，又称热载流子二极管。利用金属-半导体(M-S)接触特性制成，有点接触型和面结合型两种管芯结构。肖特基势垒二极管利用金属-半导体(M-S)接触特性制成，由于金属-半导体接触的电流运输主要是依靠多数载流子(电子)，其电子迁移率高，且M-S结可以在亚微米尺度上精确制造加工，使...
SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。 因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管(FRD:快速恢复二极管),能够明显减少恢复损耗。 有利于电源的高效率化,并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化,而且可以降噪。 广泛应用于空调、电源、...
通过在横向AlGaN/GaN基SBD结构中引入场板结构,一方面在反向偏置时能够增加横向耗尽区域的面积,提升反向击穿电压;另一方面,场板与凹槽阳极之间可以形成电荷耦合效应,能够有效地减小凹槽阳极边缘的峰值电场,同时减弱镜像力的影响,抑制器件的漏电流。 图1反偏电压为100 V的电势分布图:(a)无场板结构;(b)具有场板结构 ...
从材料到结构:解锁SBD和FRD卓越性能的密钥 由于SBD的性能与其所使用的材料密切相关,因此,通过选择和优化材料属性,如降低金属和半导体之间的功函数,可以有效降低SBD的导通电压,从而提升其高频应用性能。SBD的结构设计也是影响其性能的关键因素。通过优化其单边空间电荷区域的设计,可以进一步降低PN结电容,从而提升SBD在高频应...
肖特基势垒二极管SBD(Schottky Barrier Diode,简称肖特基二极管)是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。<?xml:namespace prefix...
17、在所述的p-well端还集成有sbd结构,所述的源区及漏区的外侧具有外延层刻蚀后所形成下沉的两个肩部,使得sbd的sbd肖特基接触区的外延层表面低于所述的栅极结构下方的外延层表面,且所述的源区的远离沟道区的外侧的外延层表面也低于所述的栅极结构下方的外延层表面;在所述的两个肩部具有引出金属与外延层接触,分...
审查员 徐玮 (54)发明名称一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法(57)摘要一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法,该结构包括好的元件和坏的元件,所述好的元件和坏的元件在铜盖和铜底之间采用压接式封装;所述铜盖与好的元件的金属接触层阳极之间通过第一钼片扣合,所述铜底与好的元件阴极...
SiCSBD压接式封装结构是由SiC基板、金属电极、封装材料和压接机构组成的。其中,SiC基板是一种具有高热稳定性、高电子迁移率和高电热导率的半导体材料,金属电极是用于连接SiC基板和外部电路的导体,封装材料是用于保护SiC基板和金属电极的材料,压接机构是用于将金属电极和封装材料压紧在SiC基板上的机构。 SiCSBD压接...
总结一下,SGT MOSFET是通过集成SBD结构的MOSFET,具有更好的性能和可靠性。制作SGT MOSFET需要准备基底、生长氧化硅层、形成栅电极、定义栅电极形状、形成掺杂区域、形成SBD结构、晶格修复和封装等步骤。这种新型MOSFET结构的出现将进一步推动集成电路技术的发展,并有望在各种应用中发挥重要作用。©...
德兴市意发功率半导体取得SBD器件定位封装结构专利，提升注塑封装过程中的稳定性 金融界2025年2月22日消息，国家知识产权局信息显示，德兴市意发功率半导体有限公司取得一项名为“一种SBD器件定位封装结构”的专利，授权公告号CN 222507619 U，申请日期为2024年6月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种SBD器件定位封装...