本发明主要涉及到功率芯片结构领域,特指一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法。背景技术:作为第三代半导体材料,SiC(碳化硅,一种半导体材料,可用于制作半导体器件和集成电路)具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子漂移速率高、热导率高、化学性质稳定等特点,使SiC基功率器件在高压、高温、高频、大功率、强...
除了可以减小漏电流的优势外,二极管的抗浪涌电流能力也得到增强:在SBD 中,在浪涌电流等级下(浪涌电流一般为普通电流的10倍以上),正向压降将变得非常大到30V,导致器件损坏失效,而对于JBS 而言,当正向压降增加到3.5V以上,由于PN结开启,少数载流子注入导致正向压降下降,阻止了在浪涌电流下器件被热破坏。