本SAE 推荐实践为 SAE J1752 中定义的发射和抗扰度测量程序提供了支持信息。来自集成电路的电磁辐射的近场磁场可以以受控方式测量,从而产生可重复的结果。这些发射与 IC 及其所属电子模块的远场电磁辐射电位有关。目的是提供 IC 射频发射的定量测量,以用于比较或其他目的。目前正在研究 IC 对射频场和瞬变的抗扰度...
北美汽车工程协会制定的集成电路电磁兼容测试标准SAE J1752-3,已被车规AECQ 100的E9测试项所采用。 IEC 61967-2集成电路电磁发射测量标准—150kHz~1GHz辐射发射测量—TEM小室法与宽带TEM小室法,参考的也是SAE J1…
SAE J1752/1-2006 2006年 发布单位 美国机动车工程师协会 替代标准 SAE J1752/1_200610 当前最新 SAE J1752/1_202109 适用范围 本SAE 推荐实践为 SAE J1752 系列文件中定义的发射和抗扰度测量程序提供了支持信息。 购买 正式版 SAE J1752/1-2006相似标准 ...
本专题涉及sae j 1752的标准有11条。国际标准分类中,sae j 1752涉及到字符集和信息编码、道路车辆综合、词汇、电磁兼容性(EMC)、道路车辆装置。在中国标准分类中,sae j 1752涉及到经济管理、教育、学位、学衔、电子、电气设备、半导体集成电路、电磁兼容。SAE - SAE International,关于sae j 1752的标准...
SAE J1752-3-2017 适用范围 该测量程序定义了一种测量集成电路 (IC) 电磁辐射的方法。待评估的 IC 安装在 IC 测试印刷电路板 (PCB) 上,该印刷电路板夹在 TEM 或宽带 TEM (GTEM) 单元顶部或底部切割的配合端口(称为墙壁端口)上。测试板不像常规使用那样位于电池内,而是成为电池壁的一部分。该方法适用于...
SAE J1752/3-2017 集成电路辐射发射的测量 EM/Wideband TEM(GTEM)Cell Method; TEM 小室(150 kHz 至 1 GHz)、宽带 TEM 小室(150 kHz 至 8 GHz)SAE J1752-3-2011 集成电路辐射发射的测量 EM/Wideband TEM(GTEM)Cell Method; TEM 小室(150 kHz 至 1 GHz) 宽带 TEM 小室(150 kHz 至 8 GHz) ...
IEC 61967 SAE J1752/1-2006 适用范围 该测量程序定义了一种测量集成电路 (IC) 电磁辐射的方法。待评估的 IC 安装在 IC 测试印刷电路板 (PCB) 上,该印刷电路板夹在 TEM 或宽带 TEM (GTEM) 单元顶部或底部切割的配合端口(称为墙壁端口)上。测试板不像常规使用那样位于电池内,而是成为电池壁的一部分。该...
SAE J1752/3_201709 适用范围 该测量程序定义了一种测量集成电路 (IC) 电磁辐射的方法。待评估的 IC 安装在 IC 测试印刷电路板 (PCB) 上,该印刷电路板夹在 TEM 或宽带 TEM (GTEM) 单元顶部或底部切割的配合端口(称为墙壁端口)上。测试板不像常规使用那样位于电池内,而是成为电池壁的一部分。该方法适用于...
SAE J1752/2-2016 适用范围 本SAE 推荐实践定义了一种评估集成电路 (IC) 表面电磁场的近场电场或磁场分量的方法。该技术能够提供 IC 内部 RF 源的详细模式。图案的分辨率由所用探头的特性和机械探头定位器的精度决定。该方法可通过现有的探头技术在 10 MHz 至 3 GHz 频率范围内使用。探针根据编程模式在平行或...
sae j1752/3 EN KR JP ES RU DE 本专题涉及sae j1752/3的标准有13条。 国际标准分类中,sae j1752/3涉及到词汇、电磁兼容性(EMC)、道路车辆装置。 在中国标准分类中,sae j1752/3涉及到电子、电气设备。 美国机动车工程师协会,关于sae j1752/3的标准...