S8050 NPN 透视器特性说明书 S8050 TRANSISTOR (NPN)FEATURES Complimentary to S8550 Collector Current: I C =0.5A MARKING: J3Y MAXIMUM RATINGS (T A =25℃ unless otherwise noted)Symbol Parameter Value Units V CBO Collector-Base Voltage 40V V CEO Collector-Emitter Voltage 25V V EBO Emitter-Ba...
S8050 SOT-23贴片晶体管NPN贴片三极管Transistor生产厂家现货 东莞市科陆电子有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 东莞市 ¥0.02成交6858471PCS S8050 贴片SOT23 KF科范 丝印J3Y 贴片三极管 原装全新 NPN晶体管 深圳市福田区佰易电子销售商行10年 月均发货速度:暂无记录 ...
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The S8050 transistor has the following specifications: 1.Collector-Base Voltage (Vcbo): 40V 2.Collector-Emitter Voltage (Vceo): 25V 3.Emitter-Base Voltage (Vebo): 5V 4.Collector Current (Ic): 0.5A 5.Power Dissipation (Pd): 625 mW 6.DC Current Gain (hFE): 120 - 240 7.Transition Fre...
S8050规格书.pdf,S8050 TRANSISTOR (NPN) FEATURES SOT-23 Complimentary to S8550 Collector Current: I =0.5A 1.BASE C 2 .EMITTER 3.COLLECTOR MARKING: J3Y MAXIMUM RATINGS (TA=25℃unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Volt
隧穿场效应晶体管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是带间隧穿(Band-to-band tunneling或者BTBT)。BTBT最早由Zener在1934年提出来。pn结在反偏状态下,当n区导带中某些未被电子占据的空能态与p区价带中某些被电子占据的能态具有相同的能量,而且势垒区很窄时,电子会从p区价带隧穿到n区导带。
三极管8050s的功耗是0.625W（Tamb=25℃）；三极管8050ss的功耗是1W。2、集电流不同，三极管8050s的集电极电流为0.5A；三极管8050ss的集电极电流为1.5A。3、互补配对管型号不同。三极管8050s的互补配对管型号为S8550；三极管SS8050的互补配对管型号为SS8550。半导体三极管(BipolarJunctionTransistor)，也称...
TRANSISTOR (NPN) FEATURES● Complimentary to S8550● Collector Current: IC=0.5A类似零件编号 - S8050 制造商 部件名 数据表 功能描述 Wing Shing Computer Com... S8050 69Kb / 1P TRANSISTOR (PNP) Nanjing International G... S8050 1Mb / 5P TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Guilin Strong ...
S8050 TRANSISTOR (NPN)FEATURESz Complimentary to S8550z Collector Current: IC=0.5AMARKING:...,联系电话:0755-83245955,联系人:王明香