LDTC114EET1G是一种新的数字晶体管，被设计来取代单一设备和它的外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个单晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一种串联基电阻和基发射电阻。BRT通过将这些组件集成到单个设备中，降低电路复杂性。使用BRT可以降低系统成本和板空间。该设备安装在SC-89封装中，是为低...
厂商型号 S-LDTC114EET1G 功能描述 Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件大小 1.38367 Mbytes 页面数量 9页 生产厂商Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 企业简称 LEIDITECH【雷卯电子】 ...